场板SOIRESURFLDMOS表面势场分布解析模型.PDFVIP

第42 卷 第3 期 微 电 子 学 Vol. 42, No.3 20 12 年6 月 Microelectronics Jun. 2012 场板SOI RESURF LDMOS 表面势场分布解析模型 钟大伟，郭宇锋，花婷婷，黄 峻，魏雪观，袁 丰，周洪敏 （南京邮电大学电子科学与工程学院 功率与射频微电子研究中心, 南京 210003 ） 摘 要: 以往对于 SOI 器件的建模基本上基于漂移区全耗尽的假设，且大多未考虑场板对表面势 场分布的影响。通过分区求解二维泊松方程，建立了场板 SOI RESURF LDMOS 表面电势和表面 电场分布解析模型，该模型同时考虑了栅场板和漏场板的作用，既适用于漂移区全耗尽情况，也 适用于漂移区不全耗尽的情况。利用此模型和半导体器件仿真工具 Silvaco ，详细探讨了器件在不 同偏压下栅