4T像素设计与性能优化.pdf

第一章绪论 (ChargeCoupled MetalOxide 尔实验室的w．S．Boyle与G．E．Smith发吲21。两年后年同样是贝尔实验室发表了 利用帧转移方式(FT-CCD)工作的CCD图像传感器【3】。之后由日本公司开始量 产，其发展历程已经将近30多年，从初期的lO多万像素发展至2000年左右的 500万像素，而目前千万像素级别己成为主流。2011年lO月，加拿大的Dalsa x x 公司推出的一款4 4英寸用于天文观测的CCD图像传感器，具有10，560 10，560像素，该产品为全球最高分辨率图像传感器，并且第一次突破了10亿像 素的关口。 Row Select (a)PPS (b)3T 圈1-2(a)PPs像素的结构圈，(b)3T像素的结构圈 (c)4T像素的结构图，(d)5T像素的结构圈 CMOS图像传感器分为无源像素传感器(PassivePixel Sensor,PPS)和有源 Pixel 像素传感器(Active Sensor,APS)。PPS像素不具有信号放大的功能。最早 种结构有最大的填充系数，相对高的量子效率，但是由于其直接将电荷从感光单 元直接读出到列总线，较大的总线电容和热复位噪声限制了PPS的实用价值。 所示15J。该像素即所谓的3T-APS像素结构。其与PPS最大的区别是，光信号通 2 第一章绪论 过光电二极管转换为电信号之后由一个源跟随器进行放大然后读出到列总线。 3T-APS的成像质量相对与PPS有很大的提高，但是由于固定模式噪声和复位噪 声无法消除，成像质量仍旧不足以威胁到CCD图像传感器【6】。1995年柯达公司 Photo 将钳位二极管(PinnedDbde，PPD)引入4T(4Transistor)像素，通过P 型钳位层将光电二极管的N埋层与硅．二氧化硅界面隔开，使像素的暗电流大大 Diffusion)节点使得相关双采样 减小。相对于3T像素新增的FD(Floating (CorrelatedDouble Sampling，CDS)功能得以实现，从而大大降低了随机噪声并 抑制了固定模式噪声(Fixed 所示。之后2000年由柯达提出5T像素，其结构如图1-2(d)所示。相对于4T 像素最大的改进是曝光控制管的引入。5T像素全局曝光的功能非常适合应用于 高速工作的环境【8]【9】。而美光在2005年提出通过多个像素共用电荷存储或读出电 路来增大像素的填充因并提高阱容量的技术，使得CMOSAPS像素在小型化的 路上更进一步【10】【1l】。随着工艺的进步，像素在光学尺寸上遇到了瓶颈。以台积 电，豪威半导体以及日系厂商为代表的背光技术也为CMOS图像传感器打开了 一片新的天地【12】【13】。2009年MIT和IrvineSensors Corporation合作研发的采用 背光技术的像素尺寸已经达到1．19m以下【14J。随着3D影视的火热以及普及，3D 成像技术也成为CIS的研究热点之一。包括意法半导体，东京大学，代尔夫特大 学都对此展开了研究【15】【161[171。 此外数字像素CMOS图像传感器也是CMOS图像传感器发展的一个方向。 这种结构的像素在单个像素中集成了模数转换器和存储器，输出的数字信号，因 此数字像素传感器的读出速度极快，适合高速应用领域。而且由于从像素读出的 信号即为数字信号，与模拟信号输出的像素相比不会引入后续电路的噪声干扰。 这种像素由于其较为复杂的像素结构，目前还处于研究阶段，但是应用前景可观 【181。 1．2CMOS图像传感器的优势 CCD和CMOS是当今主流的固