电光调制试验仪的原理与使用
电光调制实验仪的原理与使用
一、 目的
晶体电光调制实验是集光、机、电于一体的综合性实验。通过该实验可以加深对偏振光
干涉、双折射、非线性光学等知识的理解,通过使用电光调制实验仪掌握电光调制、会聚
光干涉的基本原理,理解晶体的半波电压和电光系数等基本概念以及激光通讯的基本原理。
二、 原理
1. 电光调制的基本原理
当晶体加上电场后,该晶体的折射率发生变化,这种现象称为电光效应。若折射率的变
化正比于电场强度,称为线性电光效应。加在晶体上的电场方向与光在晶体里传播方向相
垂直时产生的电光效应,称为横向电光效应。铌酸锂(LiNbO3 )晶体是单轴晶体,通常
将晶体切割成长方形,X ,Y, Z 轴为晶体的主轴,且 Z 轴为光轴,如图 1 所示。当光沿 Z
轴方向传播时,在 X 方向(横向)加上电场 Ex 后,晶体将由单轴变为双轴,其主轴(X
和 Y )绕Z 轴转 450 ,成为新的主轴X,,Y,,Z,轴(又称感应轴)。这时,垂直于Z 轴的折
射率椭球的截面由圆变成了椭圆,对其解析表达式进行主轴变换后得到,在 X 轴方向加
电场时,感应轴方向折射率的表达式为:
⎧ 1 3
n n + n γ E
⎪ x o 2 o 22 x
⎨ (1)
⎪ 1 3
n n − n γ E
⎩ y o 2 o 22 x
其中,EX 为加在 X 方向上的电场强度,γ 为晶体的电光系数。
22
快轴 ,
慢轴(//y )
,
’ (//
X 电光晶体 x )
入射光
出 射 光
x
y ’ d
z
y
起偏器(//x 轴) l
1/4 波片 检偏器(//y 轴)
图 1 晶体横向电光调制原理示意图
由于电光晶体折射率的改变与外电场有关,因而当一束线偏振光从晶体中射出后,沿感
应轴 X, ,
,Y 的2 个振动分量将产生 1 个确定的相位差,用这种晶体制成由外电场 EX 调制相
位差的晶片,称为电光调制器。
DGT-B 型电光调制实验是根据电光效应的原理,采用铌酸锂(LiNbO3) 晶体的横向调制
方式做成的。该仪器的结果原理图如图 1 所示。
图中起偏器的偏振方向平行于电光晶体的X轴,检偏器的偏振方向平行于Y轴。因此入
射光经起偏器后变为振动方向平行于X轴的线偏振光,它在晶体的感应轴x ′y ′上投影的
振幅和相位均相等,则有
E (0) A
⎧
⎨ X (2)
⎩E Y ′(0) A
(2) 式是晶体表面(z = 0) 处的入射光振幅的表达式。入射光的强度为
* 2 2 2
I 0 ∝E ⋅E Ex ′(0) + Ey ′(0) 2A (3)
晶体表面(z = 0) 处入射光振动的场强表达式为
⎧ iωt
E (0) Ae
⎪ x ′
⎨ iωt
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