数字电子技术基础 第八章(精品·公开课件).pptVIP

(3) 编程连接技术 PLD表示的与门 熔丝工艺的与门原理图 V CC + (5V) R 3k W L D 1 D 2 D 3 A B C 高电平 A、B、C有一个输入低电平0V A、B、C三个都输入高电平+5V 5V 0V 5V 低电平 L V CC A B C D 5V 5V 5V L=A?B?C (4) 浮栅MOS管开关 用不同的浮栅MOS管连接的PLD，编程信息的擦除方法也不同。SIMOS管连接的PLD，采用紫外光照射擦除；Flotox MOS管和快闪叠栅MOS管，采用电擦除方法。 浮栅MOS管 叠栅注入MOS(SIMOS)管 浮栅隧道氧化层MOS(Flotox MOS)管 快闪(Flash)叠栅MOS管 3.PLD的分类 PROM PLA PAL GAL 低密度可编程逻辑器件 （LDPLD） EPLD CPLD FPGA 高密度可编程逻辑器件 （HDPLD） 可编程逻辑器件 （PLD） 按集成密度划分为 按结构特点划分 简单PLD (PAL，GAL) 复杂的可编程器件(CPLD) : CPLD的代表芯片如：Altera的MAX系列 现场可编程门阵列(FPGA) PLD中的三种与、或阵列 与阵列、或阵列 均可编程(PLA) 与阵列固定，或阵 列可编程(PROM) 与阵列可编程，或