碳化硅抛光片微管密度无损检测方法.DOC

《碳化硅抛光片微管密度无损检测方法》 送审稿编制说明 工作简况 任务来源 根据国家标准化管理委员会下发的国标委综合[2011]57号“关于下达2011年第一批国家标准制修订计划的通知”的要求，由北京天科合达蓝光半导体有限公司、中国科学院物理研究所负责起草、编制本标准，规定碳化硅单晶抛光片的微管密度的无损检测方法。此项目编号T-469，完成年限2012年。 标准项目申报单位简况 北京天科合达蓝光半导体有限公司成立于2006年9月，专业从事第三代半导体碳化硅晶片的研发、生产和销售的高新技术企业。公司依托于中国科学院物理所十余年在碳化硅领域的研究成果，经过多年卓有成效的研究，公司研发出拥有自主知识产权的碳化硅晶体生长炉和碳化硅晶体生长、加工技术和专业设备，建立了完整的碳化硅晶片生产线，在国内率先实现了碳化硅晶片的产业化生产，成为全球碳化硅晶片的主要生产商之一。 主要工作过程 本标准从2011年开始起草，形成草案，上报全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会，并于2012年3月在徐州参加了标准草案的讨论会，与会的21位专家、代表对该标准给予了肯定，并提出三点建议。标准编制组根据讨论会的建议对草案进行了修订，形成本标准的“征求意见稿”。在之后的两个月时间内，在同行及下游企业广泛的征求了意见，共收到意见12条，编制组收集整理意见后编写的“意见汇总处理表”，并根据