《单晶硅太阳能电池表面PECVD淀积SiN减反射膜工艺研究》-毕业论文（设计）.doc

PAGE PAGE I 南通大学毕业设计（论文）立题卡 课题名称 单晶硅太阳能电池表面PECVD淀积SiN减反射膜工艺研究 出题人 课题表述（简述课题的背景、目的、意义、主要内容、完成课题的条件、成果形式等） 近年来，太阳能等可再生能源发展迅速，一些国内光伏企业也跻身世界先进行列。其中晶体硅电池占有90%以上的市场。利用PECVD的方法在晶体硅太阳能电池的表面淀积氮化硅减反射薄膜可以明显提高电池的性能。本课题基于RothRau的SiNA等离子增强化学气相淀积薄膜设备，对淀积氮化硅薄膜的工艺条件进行重点研究。 主要内容： 1.了解单晶硅太阳能电池的原理； 2.了解PECVD的使用和工作原理； 3. 研究PECVD淀积氮化硅薄膜的工艺条件。 完成课题条件：PECVD设备、多种气源、检测设备等。 成果形式：工艺数据、毕业论文。 课题来源 科研 课题类别 毕业设计 该课题对学生的要求 适合电子科学与技术专业的学生。 教研室意见 该课题侧重半导体器件制造工艺，工作量及难易程度适中，符合专业培养目标和要求。 教研室主任签名：______________ ________年________月________日 学院意见 同意立题（　　）　 不同意立题（　　） 　　教学院长签名：______________ ________年________月________日 注：1、此表一式三份，学院、教研室、学生档案各一份。 2、课题来源是指：1.科研，2.社会生产实际，3. 其他。 3、课题类别是指：1.毕业论文，2.毕业设计。 4、教研室意见：在组织专业指导委员会审核后，就该课题的工作量大小，难易程度及是否符合专业培养目标和要求等内容提出具体的意见和建议。 5、学院可根据专业特点，可对该表格进行适当的修改。 课题的内容和要求（研究内容、研究目标和解决的关键问题） 本课题基于RothRau的SiNA等离子增强化学气相淀积薄膜设备，对淀积氮化硅薄膜工艺条件进行重点研究。 主要内容：1. 了解单晶硅太阳能电池的原理； 2. 了解PECVD的使用和工作原理； 3. 研究PECVD淀积氮化硅薄膜的工艺条件。 研究目标：薄膜重要参数（淀积速率、膜厚度、折射率）与微波功率、衬底温度、淀积时间、NH3/SiH4流量比和淀积腔压力等因素的关系。寻找最佳的工艺方案。 关键问题：获得最佳质量膜的工艺条件的选择。 课题的研究方法和技术路线 研究方法：在熟悉掌握PECVD设备的工作原理、结构基础上，利用该设备进行氮化硅薄膜淀积，探索最佳淀积工艺方案。 技术路线： 熟悉设备结构，掌握设备使用； 熟悉PECVD的工作原理； 通过调研及查找资料，获得成熟的工艺方案； 4. 获得实验样品，通过测试，再探索最佳淀积工艺方案。 基　础　条　件 PECVD设备：RothRau SiNA 气源：N2，NH3，SiH4 测试设备：SE400 型椭偏仪 材料：六英寸单晶硅抛光片 参考文献 [1] 施敏著．半导体器件物理与工艺（第二版）[M]．苏州： 苏州大学出版社，2004，359—366 [2] 关旭东．硅集成电路工艺基础[M]．北京：北京大学出版社，2003，122—156 [3] Stephen.A.Campbell．微电子制造科学原理[M]．北京：电子工业出版社，2003，326—352 [4] 陈力俊．微电子材料与制程[M]．上海：复旦大学出版社，2005，350—370 [5] Michael Quirk and Julian Serda．半导体制造技术[M] ．北京：电子工业出版社，2003，220—230 [6] Thomas Hengst Dr. Saul Winderbaum . ROTH RAU REMOTE MW-PECVD SINA in-line systems. [7] Guillermo Santana, Arturo Morales-Acevedo .Optimization of PECVD SiN:H lms for silicon solar cells Solar Energy Materials Solar Cells 60 (2000) 135}142 [8] L.C.-K. Liau, C.-J. Huang, C.-C. Chen, C.-S. Huang, C.-T. Chen, S.-C. Lin, L