各章节内容最后小结.pdfVIP

1 半导体二极管 1．本征半导体在本征激发后导电，载流子浓度与温度 T 有关。 2 ．P 型半导体中多子为空穴，少子为电子； N 型半导体中多子为电子，少子为空穴。 掺入杂质后，半导体的导电能力会有显著提高。 3 ．PN 结又称空间电荷区、耗尽层、阻挡层、势垒区，有单向导电性：正向电阻很小，反向 电阻很大。 V V 4 ．二极管的伏安方程是：I I s (e T 1) ， 其中:I 是二极管的反向饱和电流，与温度有关； s V 是温度的电压当量，室温下为 0.026mV。 T V V 二极管正偏时，I  I e T ，反偏时，I  I s s 5 ．二极管反向偏置电压达到击穿电压V