《蚀刻》课件.pptVIP

2003/10/09 概述 化學蝕刻的特點 化學蝕刻流程（Flow Chart of Etching） 蝕刻樣品（1---半蝕刻） 蝕刻樣品（2---全蝕刻） * MOTOROLA MOTOROLA 蝕刻是將材料使用化學反應或物理撞擊作用而移除的技術。 蝕刻技術可以分為『濕蝕刻』(wet etching)及『乾蝕刻』(dry etching)兩類。 在濕蝕刻中是使用化學溶液，經由化學反應以達到蝕刻的目的，而乾蝕刻通常是一種電漿蝕刻(plasma etching)， 電漿蝕刻中的蝕刻的作用，可能是電漿中離子撞擊晶片表面的物理作用，或者可能是電漿中活性自由基(Radical)與晶片表面原子間的化學反應，甚至也可能是這兩者的複合作用。 在航空、機械、化學工業中，蝕刻技術廣泛地被使用於減輕重量(Weight Reduction)儀器鑲板，名牌及傳統加工法難以加工之薄形工件等之加工。在半導體製程上，蝕刻更是不可或缺的技術。 在手機金屬零件加工過程中﹐只用到『濕蝕刻』﹐即我們通常說的『化學蝕刻』 。在此我們只對化學蝕刻作介紹。 加工範圍廣，可用於鋁合金，不銹鋼，銅材，鎳合金等材質的加工。可加工材料厚度範圍：0.02mm—3mm。 化學蝕刻可完成對複雜精細形狀的加工，其通過曝光顯影或鐳射的方式來達到。使用蝕刻加工可以增加產品設計的自由度，提高產品的精度。 方便後續制程完成( 如陽極，電著等)，