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电 路 （第二部分）;第4章 半导体二极管、三极管和场效应管;本章重点和考点：;1、什么是半导体;3. 本征半导体;1）本征半导体的共价键结构;;说明：;;5、复合;小结：;;多数载流子——自由电子， 主要由掺杂产生。; 在本征半导体中掺入三价杂质元素，如硼、镓等。;杂质半导体的示意图; 1 . PN结的形成 ; 2 . PN结中的载流子运动; 2） 漂移运动;少子飘移;3. PN结的单向导电性;(2) 加反向电压——电源正极接N区，负极接P区 ; PN结加反向电压时，具有很小的反向漂移电流，呈现高电阻， PN结截止。 ;u 为PN结两端的电压降;5. PN结的伏安特性曲线;6. PN结的电容效应;(2) 扩散电容CD;⑶ PN结结电容（极间电容）CJ;半导体;; 二极管 = PN结 + 管壳 + 引线; 3、二极管的分类：;3）、 平面型二极管; 硅：0.5 V 锗： 0.1 V; (1) 最大整流电流IF——;1、理想等效电路模型;1、理想二极管模型;例：电路如图所示，R＝1kΩ，UREF=2V，输入信号为ui。 (1)若 ui为4V的直流信号，分别采用理想二极管模型、恒压降模型计算电流I和输出电压uo;（2）如果ui为幅度±4V的交流三角波，波形如图（b）所示，UREF=2V,分别采用理想二极管模型和理想二极管串联电压源模型分析电路并画出相应的输出电压波形。;0;;;0V ; ; 3、稳压二极管的主要 参数;4.3 双极型晶体管;1 晶体管的结构;;;b;b;b;3、晶体管的共射电流放大系数;3) 共基直流电流放大系数;4、三极管的电流方向;1、输入特性;2、输出特性;IC(mA );IC(mA );输出特性三个区域的特点:;判断三极管工作状态的方法;4.3 双极型晶体管; 三、晶体管的共射特性曲线; 三、晶体管的共射特性曲线; 三、晶体管的共射特性曲线;4.3 双极型晶体管;2、交流参数;1）最大集电极耗散功率PCM; 由PCM、 ICM和UCEO在输出特性曲线上可以确定过损耗区、过电流区和击穿区。 输出特性曲线上的过损耗区和击穿区;4、　温度对晶体管特性及参数的影响;4.4 场效应管;场效应管：一种载流子参与导电，利用输入回路的电场效应来控制输出回路电流的三极管，又称单极型三极管。;N沟道; 由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简称 MOS 场效应管。;1、N 沟道增强型 MOS 场效应管;1. 工作原理;;(4) UDS 对导电沟道的影响 (UGS UT);D;3. 特性曲线与电流方程;二、N 沟道耗尽型 MOS 场效应管;N 沟道耗尽型 MOS 管特性;三、P沟道MOS管;种 类;种 类;1.4.3　场效应管的主要参数;二、交流参数;三、极限参数;例;解;从输出特性曲线可得 uGS ＝10V时d-s之间的等效电阻 (D在可变电阻区，任选一点，如图);;;小 结;一、两种半导体和两种载流子;2. 二极管的等效模型;三、两种半导体放大器件;放 大 条 件;4. 特性;;;场效应管;2. 特点;不同类型 FET 转移特性比较;四、晶体管电路的基本问题和分析方法;判断饱和还是放大：;1、结构和电路符号;N 沟道耗尽型;;P 沟道耗尽型;2、MOS管的工作原理;;;;;3、增强型N沟道MOS管的特性曲线;输出特性曲线;四、耗尽型N沟道MOS管的特性曲线;输出特性曲线;第五章 放大电路基础;本章重点和考点:;1 、 放大电路的基本功能;2、放大电路的性能指标;1）放大倍数　　　表示放大器的放大能力;2）输入电阻Ri;3）输出电阻 Ro;4）通频带;;;;共射放大电路;一、无输入信号（ui = 0）;;→△UCE（-△IC×Rc）;5.1 放大电路的组成及工作原理;5.1 放大电路的组成及工作原理;2、 静态工作点的估算;1.必须有为放大管提供合适Q点的直流电源。　　　　保证晶体管工作在放大区；场效应管工作在恒流区。;5.2 图解分析法;　　在三极管的输入、输出特性曲线上直接用作图的方法求解放大电路的工作情况。;3. 在输出特性曲线上画直流负载线;　　【例】图示单管共射放大电路及特性曲线中，已知 Rb = 280 k?，Rc = 3 k? ，集电极直流电源 VCC = 12 V，试用图解法确定静态工作点。;;1. 交流通路的输出回路;3. 动态工作情况图解分析;;4. 电压放大倍数;　　1. 静态工作点过低，引起 iB、iC、uCE 的波形失真;iC 、 uCE (uo )波形失真;2. 静态工作点高，引起 iB、iC、uCE 的波