五邑大学电工与电子技术第10章.pptVIP

10.4 半导体三极管 10.4.1 基本结构 各种半导体三极管的外型图 按结构分类： NPN PNP 10.4.2 载流子分配及电流放大原理 10.4 半导体三极管 共射极放大电路 放大条件 内部条件 ①发射区掺杂浓度最高 ②基区很薄 ③集电结面积大 外部条件 ①发射结结正偏 ②集电结反偏 输入 输出 各极电流（mA） 测量结果 IB -0.001 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10 IC 0.001 0.01 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95 IE 0 0.01 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 10.4 半导体三极管 实验数据分析： ① IE = IC + IB ② ③ 10.4 半导体三极管 半导体三极管内部载流子的运动： 10.4 半导体三极管 半导体三极管内部载流子运动示意图 三个结论： (1)发射极电流IE、基极电流IB、集电极电流IC的关系是IE = IB + IC； 载流子运动过程： ①发射结正偏：发射区发射电子到基区 ②少量电子在基区与空穴复合，大部分运动到集电结； ③集电结反偏：集电区收集电子。 (2)集电极电流IC、基极电流IB的关系是IC =βIB ； (3)晶体管的电流放大作用，实质上为晶体管的控制作用，即较小电流IB控制大电流IC。 10.4 半导体三极管 10.4.3 特性曲线 1．输入特性曲