模拟电字术基础（赵进全）1.4.pptVIP

上页 下页 后退 模拟电子 上页 下页 返回 模拟电子技术基础 1.4 特种二极管 1.4.1 硅稳压二极管 特点 a. 正向特性与普通管类似 稳压管通常工作于反向电击穿状态 伏安特性 – + iZ uZ uZ Q B A O UZ iZ IZ ?UZ ?IZ 符号 b. 反向击穿特性很陡 1. 硅稳压管的主要电参数 (1) 稳定电压UZ (2) 动态电阻 (3) 最大允许工作电流IZM (4) 最大允许功率耗散PZM (5) 温度系数 uZ Q B A O UZ iZ IZ ?UZ ?IZ 温度每变化1?C时UZ的相对变化率。即 UZ 6V管子出现雪崩击穿，αU 为正； UZ 4V 出现齐纳击穿，αU 为负; 4V UZ 6V，αU可能为正，也可能为负。 温度系数 定义： 具有温度补偿的硅稳压管 把一只αU为正的管子与另一只αU为负的管子串联 将两只αU 为正的稳压管串联 (1) DZ1 DZ2 (2) 2. 硅稳压管的等效电路 反向击穿时端电压表达式 反向 正向 理想二极管 uZ Q O UZ iZ IZ UZ0 等效电路 D1 D3 D2 rZ UZ0 3. 硅稳压管稳压电路 R——限流电阻 DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ (1) 稳压原理 a. UI不稳定 UI↑ → UO↑ → UZ ↑ → IZ↑ → I↑ → I R↑ 　 UO↓ DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ b. RL改变 RL↓ → UO↓ → UZ ↓ → I R↓ → IZ↓ → I↓ UO↑ DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ (2) 限流电阻计算 输出电压稳定的条件 （保证稳压管被击穿） DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ ≥ IZ(min)≤IZ≤IZM 稳压管正常工作的条件 DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ UO=UZ 图中 IZ = I－IO DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ 此时当IO为最小值IO(min)时，IZ值最大。 当UI为最大值UI(max)时，I值最大； IZ = I－IO 由式 知 由此可得 为保证管子安全工作,应使 DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ ≤ ≥ DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ IZ = I－IO 由式 此时当IO为最大值IO(max)时，IZ值最小。 当UI为最大值UI(min)时，I值最小； 知 由此可得 为保证电路正常工作，应使 DZ IZ RL UO UI R I IO + _ + _ ≥ ≤ 得 由式 及 ≥ ≤ ≤ ≤ 1.4.2 变容二极管 1. PN结的电容效应 (1) 扩散电容CD 非平衡少子的积累 P N + + + + . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . △U变化时，P区积累的非平衡少子浓度分布图 ΔU0 3 ΔU=0 ΔU0 2 1 x 电子浓度 3 2 1 P N + + + + . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 这种电容效应用扩散电容CD表征。 PN结正向偏置电压越高，非平衡少子的积累越多。 P N + + + + . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . (2) 势垒电容CB U P N + + + + + + + + 空间电荷层 PN结变窄 空间电荷层中的电荷量减少 a. 当PN结正向偏置电压升高时 U+?U (?U0) P N + + + + PN结变宽 空间电荷层中的电荷量增大 b. 当PN结正向偏置电压降低时 可见，空间电荷量随着PN结偏置电压的变化而变化。 这种电容效应用势垒电容CB表征。 U-?U (?U0) P N + + + + + + + + + + + + 小结 PN结结电容Cj Cj = CD + CB 当PN结正偏时 当PN结反偏时 变容二极管的特点 b. 电容量与所加的反向偏置电压的大小有关。 a. 当二极管反向偏置时，因反向电阻很大，可作电容使用。 变容二极管的符号及C－U 特性曲线 符号 20 2 40 60 80 10