模电“电子技基础”康华光-ch3_2_diode.pptVIP

整流电路 限幅电路 电路如图，R = 1kΩ，VREF = 3V，二极管为硅二极管。分别用理想模型和恒压降模型求解，当vI = 6sin?t V时，绘出相应的输出电压vO的波形。 3.3 半导体二极管(Diode) 3.3.1 结构类型和符号 3.3.2 伏安特性 3.3.3 主要参数 3.3.4 典型应用 3.3.5 型号命名规则 3.3.6 特殊二极管 半导体二极管图片 半导体二极管图片 半导体二极管图片 半导体二极管图片 3.3.1 结构类型和符号 　　二极管 = PN结 + 引线 + 管壳。 类型：点接触型、面接触型和平面型 (1) 点接触型— (a)点接触型 一、结构类型 (c)平面型 (3) 平面型— (2) 面接触型— (b)面接触型 二、符号 旧符号 新符号 阳极(Anode) 阴极(Cathode) 标记 D1 D2 Diode 3.3.2 伏安特性 IS :反向饱和电流 VT =kT/q :温度的电压当量 室温（T=300 K）下， VT=26 mV 一、理想二极管方程 (PN结方程) 理想二极管伏安特性曲线 ——单向导电性 非线性 器件！ 实际D与理想D两点区别： 二、实际二极管伏安特性 1)正向(V0)存在死区电压 硅：Vth=0.5 V Threshold 锗：Vth=0.1 V 阈限　　 2)反向(V0)存在击穿电压 VBR(Breakdown) 雪崩击穿Avalanche 齐纳击穿Zener （均可逆) 理想 实际 3.3.3 主要参数 (1) IF——最大整流电流 (2) VBR——反向击穿电压 长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流 (3) IR(IS)—— 反向饱和电流 硅 (nA)级；锗 (?A)级 (4) rd ——动态电阻 　 rd =?VF /?IF 二极管正向特性曲线斜率的倒数 3.3.4 特殊二极管 一、稳压二极管 工作条件： （反向击穿区） 反偏电压+限流电阻 　 （保护、调压） 符号 问题： 正偏特性？ （二）主要参数 (1) VZ —— 稳定电压 (2) IZ ——稳定工作电流 IZmin ~IZmax (3)PZM ——最大耗散功率 取决于PN结的面积和散热等条件，超过则热击穿 PZM = VZ IZmax 发射相干单色光的特殊发光二极管。主要用于小功率光电设备，如光驱、激光打印头等。 符号见图B 图B 将电信号转换为光信号的器件，常用于显示，或做光纤传输中的光发射端。 符号见图B 四、激光二极管 三、发光二极管　　　 二、光电二极管 （LED） 将光信号转换为电信号的器件，常用于光的测量，或做光电池。 符号见图A 图A 触敏屏 (light-emitting diode) 3.3.6 典型应用与分析方法 二极管典型应用： （1）整流 （2）限幅 （3）逻辑（二极管逻辑） （4）显示器 稳压二极管典型应用：稳压 二极管电路分析方法？ 3.3.5 型号命名规则 详见第三版附录 (Page44) 二极管电路分析方法 ——等效模型法（线性化） （a）电路图 （b）vs和vO的波形 1.正确理解PN结。 2.熟练掌握器件（二极管)的外特性、主要参数。 3.正确理解模型分析法及典型应用。 4.会查阅电子器件手册。 3.4 基本要求 二极管模型 举例 其伏安特性曲线与硅二极管的伏安特性曲线完全一样。 * *