多晶硅的介及发展行情.doc

多晶硅的介绍及发展行情 多晶硅： 是单质硅的一种形态。熔融的单质硅在过冷条件下凝固时，硅原子以HYPERLINK /view/14770.htm金刚石晶格形态排列成许多晶核，如这些晶核长成晶面取向不同的晶粒，则这些晶粒结合起来，就结晶成多晶硅。利用价值：从目前国际HYPERLINK /view/346275.htm太阳电池的发展过程可以看出其发展趋势为HYPERLINK /view/174762.htm单晶硅、多晶硅、带状硅、HYPERLINK /view/757628.htm薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。 性质　灰色HYPERLINK /view/546596.htm金属光泽。HYPERLINK /view/38960.htm密度2.32~2.34。熔点1410℃。HYPERLINK /view/81200.htm沸点2355℃。溶于HYPERLINK /view/62622.htm氢氟酸和HYPERLINK /view/48841.htm硝酸的混酸中，不溶于水、硝酸和HYPERLINK /view/1729.htm盐酸。硬度介于HYPERLINK /view/34272.htm锗和HYPERLINK /view/35665.htm石英之间，室温下质脆，切割时易碎裂。加热至800℃以上即有延性，1300℃时显出明显变形。常温下不活泼，高温下与氧、氮、硫等反应。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有HYPERLINK /view/19928.htm半导体性质，是极为重要的优良HYPERLINK /view/50720.htm半导体材料，但微量的杂质即可大大影响其导电性。电子工业中广泛用于制造半导体收音机、HYPERLINK /view/29010.htm录音机、电冰箱、彩电、录像机、电子计算机等的基础材料。由干燥硅粉与干燥氯化氢气体在一定条件下氯化，再经冷凝、精馏、还原而得。 　　多晶硅可作拉制HYPERLINK /view/174762.htm单晶硅的原料，多晶硅与单晶硅的差异主要表现在物理性质方面。例如，在力学性质、光学性质和热学性质的各向异性方面，远不如单晶硅明显；在HYPERLINK /view/78196.htm电学性质方面，多晶硅HYPERLINK /view/51869.htm晶体的导电性也远不如单晶硅显著，甚至于几乎没有HYPERLINK /view/1496619.htm导电性。在化学活性方面，两者的差异极小。多晶硅和单晶硅可从外观上加以区别，但真正的鉴别须通过分析测定晶体的晶面方向、导电类型和HYPERLINK /view/42894.htm电阻率等。 　　多晶硅是生产单晶硅的直接原料，是当代HYPERLINK /view/2949.htm人工智能、HYPERLINK /view/294361.htm自动控制、HYPERLINK /view/553565.htm信息处理、HYPERLINK /view/1361492.htm光电转换等半导体器件的HYPERLINK /view/1831222.htm电子信息基础材料。被称为“HYPERLINK /view/78025.htm微电子大厦的基石”。 HYPERLINK /view/381366.htm#编辑本段工业生产方法 　　多晶硅的生产技术主要为改良西门子法和硅烷法。西门子法通过气相沉积的方式生产柱状多晶硅，为了提高原料利用率和环境友好，在前者的基础上采用了闭环式生产工艺即改良西门子法。该工艺将工业硅加工成SiHCI ，再让SiHCl3在H2气氛的还原炉中还原沉积得到多晶硅。还原炉排出的尾气H2、SiHCl3 和HCl经过分离后再循环利用。硅烷法是将硅烷通入以多晶硅晶种作为流化颗粒的流化床中，使硅烷裂解并在晶种上沉积，从而得到颗粒状多晶硅。改良西门子法和硅烷法主要生产电子级晶体硅，也可以生产太阳能级多晶硅。 西门子法 　　西门子法是由德国Siemens公司发明并于1954 HYPERLINK /albums/381366/381366/0/0.html#0$bf096b63f6246b60e86de331ebf81a4c510fa210 年申请了专利1965年左右实现了工业化。经过几十年的应用和展，西门子法不断完善，先后出现了第一代、第二代和第三代，第三代多晶硅生产工艺即改良西门子法，它在第二代的基础上增加了还原尾气干法回收系统、SiCl4回收氢化工艺，实现了完全闭环生产，是西门子法生产高纯多晶硅技术的最新技术，其具体工艺流程如图1所示。硅在西门子法多晶硅生产流程内部的循环利用。 硅烷法 　　硅烷法是将硅烷通入以多晶硅晶种作为流化颗粒的流化床中， HYPERLINK /albums/38