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背金工艺技术介绍
背金工艺介绍;目录;背金工艺简介;TAPE;减薄原理;减薄方法;减薄程序;减薄异常;硅腐蚀原理;硅腐蚀的作用;硅片减薄后会产生很多表面损伤,并且有硅粉残留。此时wafer内部应力很大,容易碎片,硅腐蚀可以消除其内部应力,并且使其表面粗糙度更大,金属更容易在其上淀积。
;硅腐蚀异常;蒸发前清洗;EG-BOE异常; 在高温材料的蒸发上,我們通常采用电子束蒸发(Electron Beam Evaporation,简称EBE)來进行的,EBE 是利用电子束(Electron Beam)在高压下加速,经过强磁场偏转,撞击靶材,使蒸发源加热,且加热的范围可局限在蒸发源表面极小,不必对整個蒸发源加热,效率更高。所以,在半导体制程上的应用,蒸发法通常使用是以EBE 来进行的,如我们的Ti,Ni,Ag的蒸发便是一例。;EB GUN蒸发优点;EB GUN蒸发缺点;电子枪的各式材料座;仪器型号;设备规格; 工艺要求;背面PEELING分析;蒸发异常;蒸发异常;Thanks
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