用于GaN功率器件的栅极驱动光耦.PDFVIP

用于GaN 功率器件的栅极驱动光耦 与硅功率器件相比，氮化镓 （GaN）功率器件因其更快的开关能力赋能更高整体系统效率并减 小尺寸、降低成本，从而越来越受欢迎。这一技术优势辅以由于 GaN 产量的增加带来的更低成 本，增加了其在工业电源和可再生能源逆变器等领域的应用。 作者：Robinson Law，应用工程师和Chun Keong Tee，产品经理，Broadcom Inc. 博通（Broadcom）公司（前身为安华高科技/Avago Technologies ）的栅极驱动光（电）耦 （合器）广泛用于驱动硅基半导体，如IGBT 和功率MOSFET。光耦用于在控制电路和高压之间 提供增强的电绝缘。其抑制高共模噪声的能力可防止在高频开关期间功率半导体的误驱动。本 文将讨论GaN 的优势、栅极驱动要求、栅极驱动设计、测试和性能。 GaN 的优点 氮化镓是一种宽带隙（3.4eV）化合物，由镓和氮组成。带隙是在没有电子的材料连接处形成 的区域。宽带隙 GaN 具有高击穿电压和低导通电阻。它具有更高的电子速率和更低的寄生电容， 从而提高了开关速度。 GaN 相对于硅的优势可归纳为3 个要点： - 更小的系统设计 - 更低的系统成本 - 更高的系统效率 图1 ：硅与GaN 对比，后者的系统体积更小、成本更低 更小体积和更低成本是所用更少、更小外围器件的结果。GaN 可以在反向导通模式下工作，从 而消除了外部续流二极管。它可以在高频下工作，从而只需使用更小的滤波器以及更小的电感 和变压器等磁性器件。GaN 的发热比硅低60°C，这将有助于减小散热器的尺寸。 图2 ：硅与GaN 对比，后者系统效率更高 更低的开关和传导损耗带来更高效率。GaN 具有更高的电子速率和更低的寄生电容，可实现低 开关损耗。在相同的击穿电压下其尺寸也比硅小，因此导通电阻更小。 图3 ：GaN 的类型和栅极驱动要求 图3 显示了不同类型的GaN 及其栅极驱动要求。例如，Brand E 制造200V GaN，主要用于12V DC-DC 转换器等低压应用。Brand T 制造 600V GaN，但是个常开开关。它需要采用共源共栅连 接的低压硅MOS，将其转换为常闭开关，使用起来更安全。由于共源共栅结构，不能通过调节 栅极阻抗来控制开关速度。这使微调EMI （电磁干扰）变得复杂并导致开关损耗。 松下（Panasonic）和GaN Systems 通过在栅极下使用P 型势垒结构、以在0V 栅极偏置时耗尽 高迁移率电子来制造常闭开关。由于高电子迁移率，GaN 的阈值VTH 相对硅MOS 或IGBT 要低。 其输入电容也非常小 （小于1nF），只需要5nC 即可导通。 GaN 开关速度非常快，在设计高开关dv/dt 时应小心谨慎。控制从GaN 到栅极驱动器的高dv/dt 噪声耦合非常重要。否则，要求栅极驱动器必须具有大于100kV/µs 的抗扰度，以防止GaN 的误 开关。 由于松下和GaN Systems 的GaN 器件是常闭开关易于使用，因此对栅极驱动的要求与硅MOS 非常相似。松下的GaN 具有坚固的栅极，允许12V 的高栅极电压以快速导通栅极。GaN Systems 建议使用6V 电压为栅极充电。由于栅极电容和所需的栅极电荷更小，所需的栅极电流相对较 低，小于1.5A. 对于松下的GaN 来说，需要注意的一点是：栅极需要约10mA 的直流保持电流才能使其保持在 “ON”状态。对于GaN Systems，需要特别注意确保不超过7V 的绝对最大栅极电压。 图4 ：采用松下的GaN 和ACPL-P346 的半桥评估板 图4 显示了采用松下的600V 70mΩX-GaN 晶体管PGA26E07BA 的半桥评估板。栅极驱动采用 两个栅极驱动光耦ACPL-P346 设计，可直接驱动GaN 晶体管。 ACPL-P346 是一款基本栅极驱动器光耦，用于隔离和驱动在高DC 总线电压下工作的GaN。它 具有轨到轨输出、最大输出电流为2.5A、可快速切换高压和驱动电流、有效可靠地导通和关断 GaN。 ACPL-P346 的最大传播延迟时间小于110ns，典型的上升和下降时间约为8ns。为隔离高 频操作期间的高瞬态噪声，需要非常高的CMR、