低温制备ITO透明导电薄膜的性质及在薄膜电池中的应用-物理电子学专业论文.docx

河北 河北工业大学硕士学位论文 低温 低温生长 ITO 透明导电薄膜的性质及在薄膜电池中的应用 i i PAGE PAGE iv 低温生长 ITO 透明导电薄膜及其在薄膜电池中的 应用 摘要 ITO ( Indium Tin Oxide，In2O3:Sn)薄膜为体心立方铁锰矿结构的多晶体，为 n 型半导体薄膜材料， 其半导化机理为掺杂(掺锡)和组分缺陷(氧空位)半导化，具有禁带宽、可见光谱区光透射率高和电阻率 低等光电特性，是薄膜太阳电池和发光元器件理想的电极材料。 在本论文中采用电阻反应热蒸发的方法，在低温制备了高性能 ITO 薄膜，并且应用于硅基 nip 型薄 膜电池和 HIT 电池。ITO 薄膜作为太阳电池的前电极，对器件的光透过和载流子的收集起着重要的作 用。本论文围绕太阳电池应用条件下制备 ITO 薄膜，主要的研究内容分为以下几个方面： 采用电阻反应热蒸发技术，通过调节衬底温度、氧分压、生长速率，改善 ITO 薄膜结构及光电特 性，并研究薄膜低温生长机理。通过对薄膜厚度、薄膜电阻率、霍尔迁移率、载流子浓度、透过率、薄 膜成分、结构的测量，分析了薄膜性能，实验测试分析表明：衬底温度低导致薄膜的晶化率过低，薄膜 的光电性能随衬底温度的升高而迅速得到改善，但高衬底温度限制了 ITO 薄膜在硅基薄膜电池中的应 用。在较低衬底温度通过调节氧流量，控制沉积速率，使得低温沉积 ITO 薄膜的性能得以优化。通过 氧气加热技术，使 ITO 薄膜透过性能得到进一步改善。最终在衬底温度 175 ℃，氧气流量 170 sccm （PO2=0.26 Pa）条件下，在玻璃衬底上获得了可见光平均透过率84%，电阻率为 4.48×10-4 Ω·cm 的 ITO 薄膜，其薄膜厚度为 80 nm。 在制备 ITO 薄膜的方法中，电阻反应热蒸发相对于溅射方法具有较小的粒子轰击能量，相对于电 子束蒸发在低温制备有更好的光电性能。因此，将其应用于硅基薄膜电池，有利于优化电池性能。 优化 nip 结构硅基薄膜太阳电池前电极的减反效果，得到透射效果较优时，薄膜厚度为 80 nm。将 ITO 薄膜应用于 nip 结构的非晶硅电池、微晶硅电池和非晶硅/微晶硅叠层太阳电池和 HIT 电池上，获 得了较好的器件结果。 关键词：ITO 薄膜，电阻反应热蒸发，电阻率，透过率，太阳电池，氧气加热 Abstract Indium tin oxide (ITO) thin films are polycrystal with bcc ( body-centered cubic ) structure. The semi-conducting mechanism of ITO is attributed to doping with Sn and to oxygen vacancies. ITO thin films possess the predominant electrical and optical properties such as wide bandgap, low resistance, and high transparence in the visible spectrum, which makes them have wide applications in the fields of solar cell and optoelectronic devices as the transparent electrodes. In this work, high-performance ITO thin films have been prepared by reactive thermal evaporation method at low-temperature, and applied in the nip-type silicon thin film solar cells and HIT solar cells. ITO thin films used as the front electrodes of the solar cells are important for light through and carrier collection. A series of ITO thin films for the solar cells have been deposited, on glass substrates and the research contents are listed as follow. Optical and electrical properties of ITO thin films grown by reac