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低温制备NiCuZn铁氧体及对磁性能的影响-电子信息材料与元器件专业论文
独创性声明
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作者签名: 日期: 年 月 日
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(保密的学位论文在解密后应遵守此规定)
作者签名: 导师签名:
日期: 年 月 日
摘
摘 要
I
I
摘 要
为在低温烧结下得到性能优良的 NiCuZn 铁氧体材料,本文在 NiCuZn 铁氧体 材料主配方确定的基础上,进行助熔剂掺杂,分别进行了 V2O5、Bi2O3、WO3 单一 掺杂以及 Bi2O3-V2O5、Bi2O3-WO3 复合掺杂,采用氧化物烧结法制备,调节工艺, 进行适量掺杂,在 13.56MHz 制备出性能优良的低温烧结 NiCuZn 铁氧体材料,同 时,对比分析了不同助熔剂对于 NiCuZn 铁氧体材料微观结构及磁性能的影响。
在理论方面,本文对 NiCuZn 铁氧体的晶体结构、离子分布、超交换作用等基 础理论进行阐述,其次对 NiCuZn 铁氧体的磁导率、截止频率等重要磁参数进行了 描述,最后针对 NiCuZn 铁氧体烧结特性以及低温烧结的意义进行了分析与阐述。 通过在二次球磨前分别加入 V2O5、Bi2O3 ,实现了 950℃下的低温烧结,得到 了性能良好的铁氧体材料。加入不同含量的 V2O5 与 Bi2O3 ,磁导率变化规律均为
先升高后降低,这表明液相助烧机制可以降低烧结温度,但是随着助熔剂含量的
继续升高,反而产生了晶粒生长异常,气泡增多,导致了性能下降。其中,加入 Bi2O3 得到了低温烧结高导低损的铁氧体材料,加入 V2O5 得到了低温烧结高导高 损的铁氧体材料。随后进行了 WO3 的掺杂,实验结果表明,WO3 的加入不能降低 本实验配方的样品烧结温度,对于晶粒生长有一定的抑制作用,材料样品的磁导 率实部虚部均有所降低,但对品质因数 Q 值有明显的提高作用。
结合单一掺杂助烧性能,进行了 Bi2O3-V2O5、Bi2O3-WO3 复合掺杂,结果表明, 在掺杂 Bi2O3 含量不变的基础上,进行 V2O5 的掺杂,会导致样品磁导率实部虚部 均有所升高,而在 Bi2O3 含量不变的基础上加入 WO3 ,样品品质因数 Q 有所提高, 但是磁导率明显降低。
为进一步改善产品性能,对球磨时间、预烧温度和烧结温度对材料性能的影 响进行了分析研究。随着球磨时间、预烧温度和烧结温度的增加,样品的磁导率 均呈现先升高后降低的变化规律。球磨时间升高使材料破碎越来越均匀细致,提 高了烧结活性,但是之后性能的降低则是由于过久的球磨导致杂质铁的引入,改 变了配方结构。随着预烧温度升高,晶粒初步生长,晶格缺陷得以修正,但会降 低烧结活性。而烧结温度的过度升高,会引起晶粒异常生长,气泡增多,反而不 利于性能提高。
关键词:NiCuZn 铁氧体,磁导率,低温烧结,助熔剂,磁性能
AB
ABSTRACT
II
II
ABSTRACT
In order to get the NiCuZn ferrite materials with a excellent performance at a low temperature,we dop V2O5、Bi2O3、WO3 and Bi2O3-V2O5、Bi2O3-WO3 with a clear fomula. By adjusting an appropriate doping,we use the oxide way and get the NiCuZn ferrite
materials with better property and low temperatures at 13.56MHz. Meanwhile ,we compare and analyze the influence with different flux to the microstructure and electromagnetic properties of the NiCuZn ferrite materials.
On the basis of the theory, this paper expound the
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