低温弱电离区费米能级表达式半导体物理SemiconductorPhysics.pptVIP

半导体物理 Semiconductor Physics 少数载流子 n型半导体中的电子和p型半导体中的空穴称为多数载流子，简称多子。 n型半导体中的空穴和p型半导体中的电子称为少数载流子，简称少子。 在强电离情况下，少子浓度 n型半导体 多子浓度nn0 = ND，由nn0pn0=ni2关系，得 半导体物理 Semiconductor Physics p型半导体 多子浓度pn0 = NA， 少子浓度和本征载流子浓度的平方成正比，和多子浓度成反比 在饱和区温度内，多子浓度不变，而本征载流子变化，所以少子浓度随温度升高迅速变化 半导体物理 Semiconductor Physics 半导体物理 Semiconductor Physics 谢谢！ 单一杂质半导体的载流子浓度 庞智勇 山东大学物理学院 本幻灯片参照刘恩科等所编著教材《半导体物理学》编写 半导体物理 Semiconductor Physics 在主要由杂质决定载流子浓度的非本征半导体中，电子的统计分布问题比本征半导体复杂，不过解决问题的方法是类似的。 半导体物理 Semiconductor Physics 杂质能级的占有几率 电子占据杂质能级的几率不能用费米分布函数描述。 能带中的能级可以容纳自旋方向相反的两个电子；而对于施主杂质能级最多只能被一个电子占据，不允许同时被自旋方向相反的两个电子占据。 可以证明，电子占据施主能级的几率： 半导体物理 Semiconductor Physics 在更为一般的情况下，该几率也可表示为 施主能级被空穴占据的几率为 式中gD为施主基态简并度，注意不要与朗德因子混淆。 半导体物理 Semiconductor Physics 对于类氢受主，空穴占据受主能级的几率 更一般情况下 半导体物理 Semiconductor Physics 由于施主浓度ND和受主浓度NA就是杂质的量子态密度，而电子和空穴占据杂质能级的几率分别是fD(E)和fA(E)。因此有 施主能级上的电子浓度nD 单一杂质能级情形 这也是没有电离的施主浓度 半导体物理 Semiconductor Physics 受主能级上空穴浓度pA 这也是没有电离的受主浓度 半导体物理 Semiconductor Physics 电离施主浓度 电离受主浓度 半导体物理 Semiconductor Physics 杂质能级和费米能级的相对位置反映了电子和空穴占据杂质能级的情况。 当 时， ，因而 而 ，即当费米能级远在施主能级之下时，可以认为施主杂质几乎全部电离 当费米能级远在施主能级之上时，施主杂质基本上没有电离 同理，当费米能级远在受主能级之上时，受主杂质几乎全部电离，当费米能级远在受主能级之下时，受主杂质基本没有电离。 半导体物理 Semiconductor Physics 以单一施主能级的n型半导体为例 n型半导体的载流子浓度 半导体物理 Semiconductor Physics 电中性条件为 电子 = 空穴+正电中心 或 半导体物理 Semiconductor Physics 分区（温度）讨论 半导体物理 Semiconductor Physics 低温弱电离区 温度很低时，大部分施主杂质能级仍为电子所占据，少量施主杂质发生电离。从价带到导带的本征激发更是可以忽略不计。因此有， 又因为电离施主浓度 远比施主浓度 小，所以 ，进一步简化 p0被歼灭 半导体物理 Semiconductor Physics 取自然对数后再简化得到 低温弱电离区费米能级表达式 半导体物理 Semiconductor Physics 针对表达式展开讨论 1）费米能级与温度、杂质浓度等有关 2）极限低温时，式中第二项趋近于0，费米能级在导带 底和施主能级间的中线处。 3）将费米能级对温度求微商，可以了解费米能级随温度 升高发