电感耦合等离子体CVD室温制备的纳米Si薄膜场电子发射研究.pdf

论 文 第51 卷 第3 期 2006 年2 月 CVD Si 旻 A. V. Karabutov A. G. Kazanskii ( , 730000; General Physics Institute, Vavilova str. 38, Moscow 119991, Russia; Moscow State University, Vorobyevy Gori, Moscow 119992, Russia. E-mail: hedy@) Si, , 502 cm−1. , , Si, Si 30~40 nm, 200