浸污法试验不溶物质对绝缘子污闪电压的影响.pdf

维普资讯 第 33卷 第 12期 高 电 压 技 术 Vo1．33 NO．12 2007年 12月 HighVoltageEngineering Dec． 2007 ·19 · 浸污法试验不溶物质对绝缘子污闪电压的影响 苑吉河，蒋兴 良，张志劲，胡建林 ，杜 辕 (重庆大学高电压与电工新技术教育部重点实验室，重庆400044) 摘 要：绝缘子表面不溶物质的类型和量对其污闪电压有影响，然而在 以往人工污秽试验中常忽略这种影响。为 此用人工污秽试验研究_『不溶物质种类和灰密的影响。试验结果显示 ：浸污法试验 中同一盐度的污液 中硅藻土灰 度不仅影响绝缘子表面的灰密 ，且对绝缘子表面的盐密和污闪也有很大的影响，随着硅藻土灰度 的增加 ，绝缘子上 盐密增大 ，其 5o 闪络电压下降，5o 闪络电压与硅藻土灰度呈幂指数关系；同样的盐密下，随着灰密增大， 络 电 减小；不溶物质的种类对污闪电压有影响，不溶物质为高岭土 的闪络电压 比不溶物质为硅藻土 的低 。 关键词：绝缘子 ；交流 ；人工污秽试验 ；不溶物质 ；灰密 ；闪络电压 中图分类号：TM852 文献标志码 ：A 文章编号 ：1003—6520(2007)12-0019—04 InfluenceofNon-solubleM aterialsonPollutionFlashoverVoltage 0fInsulatorsBasedonSolidLayerM ethods YUANJi—he，JIANGXing—liang，ZHANGZhi—jin，HUJian—lin，DU Yuan (KeyLaboratoryofHighVoltageandElectricalNew TechnologyofM inistryofEducation， ChongqingUniversity，Chongqing400044，China) Abstract：Thepollutionflashovervoltageisaffectedbythekindsandquantitiesofthenon—solublematerialsonsur— facesoftheinsulators．However，theeffectisneglectedintheartificialpollutiontests．Basedontheartificialtest， thepaperpresentstheeffect．Byusingthesolidlayermethods，theexperimentalresultsshow thatnotonlynon—sol— ubledepositdensitybutalsoequivalentsaltdepositdensityandtheflashovervoltageareaffectedbytheKieselguhr consistenceunderthesamesaltconsistence．W iththeincreaseoftheKieselguhrconsistence，equivalentsaltdeposit density increasesandtheflashovervoltagedecreases，moreover，apowerfunctioncanbeusedtopresenttheinflu— enceon50 flashovervoltage．Underthesameequivalentsaltdepositdensity，the50 flashovervoltageswillde— creasewiththeincreaseofnon—solubledepositdensity．Thereisinfluenceofthekindsofnon—solu