电荷失配对SiC半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应.pdf

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 20 (2014) 208501 电荷失配对SiC半超结垂直双扩散金属氧化物 半导体场效应管击穿电压的影响 杨帅 汤晓燕 张玉明 宋庆文 张义门 1)(西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件实验室, 西安 710071) 2)(西安电子科技大学先进材料与纳米科技学院, 西安 710071) ( 2014 年4 月13 日收到; 2014 年6 月13 日收到修改稿) SiC 半超结垂直双扩散金属氧化物半导体场效应管(VDMOSFET) 相对于常规VDMOSFET 在相同导 通电阻下具有更大击穿电压. 在N 型外延层上进行离子注入形成半超结结构中的P 柱是制造SiC 半超结 VDMOSFET 的关键工艺. 本文通过二维数值仿真研究了离子注入导致的电荷失配对4H-SiC 超结和半超结 VDMOSFET 击穿电压的影响, 在电荷失配程度为30% 时出现半超结VDMOSFET 的最大击穿电压. 在本 文的器件参数下, P 柱浓度偏差导致击穿电压降低15% 时, 半超结VDMOSFET 柱区浓度偏差范围相对于超 结VDMOSFET 可提高69.5%, 这意味着半超结VDMOSFET 对柱区离子注入的控制要求更低, 工艺制造难 度更低. 关键词: SiC, 半超结, 电荷失配 PACS: 85.30.Tv, 71.20.Nr, 85.30.De DOI: 10.7498/aps.63.208501 压提高和导通电阻降低存在矛盾, 导通电阻与击穿 1 引 言 电压的2.43 次方成正比4 . 而超结和半超结可以改 5 6 进这种关系 . “超结理论” 由Tatsuhiko 等 1997 碳化硅具有优良的电学和物理特性, 它的临界 7 年提出, 其关键结构由交替的N 柱和P 柱组成 , 击穿电场高, 禁带宽度大, 热导率高, 这使得它十分 加入超结和半超结结构可以大大提高VDMOS 的 12 适合应用在高温高压领域 . 由于材料优良性能, 击穿电压, 降低导通电阻810 , 结构如图 所示. SiC MOSFET (金属氧化物半导体场效应管) 具有 3 但是超结和半超结不允许N 柱和P 柱掺杂浓度有 低的导通电阻、高击穿电压、低漏电流 . 太大偏差, 柱区电荷失配(charge imbalance)11 会 纵向器件结构的功率MOSFET 主要分为U- 型槽MOSFET (vertical U-groove MOS) 和VD- 导致反向阻断特性降低, 器件性能变差. 而SiC 注 MOSFET (vertical double diffused MOS), 其中 入深度浅, 需要多次交替离子注入和外延生长, 增 VDMOSFET 既有纵向器件的面积小的优点, 同 加了制造柱区的工艺难度. 时又基于平面工艺, 易于制造, 而且对栅介质的要 在Si 器件中, 无论是超