在水树通道内生成纳米tio2的电缆修复方法及其绝缘增强机制研究(可编辑).docVIP

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  • 2018-12-06 发布于湖北
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在水树通道内生成纳米tio2的电缆修复方法及其绝缘增强机制研究(可编辑).doc

在水树通道内生成纳米tio2的电缆修复方法及其绝缘增强机制研究(可编辑)

在水树通道内生成纳米TiO2的电缆修复方法及其绝缘增强机制研究 第卷第期 中国电机工程学报 . . ., ◎ 年月日.. .. 中图分类号: 文献标志: 学科分类号:? 文章编号:.?. 在水树通道内生成纳米的电缆修复方法及其 绝缘增强机制研究 周凯,陶霰韬,赵威,李旭涛,刘凡 .四川大学电气信息学院,四川省成都市;.四川电力科学研究院,四川省成都市? , , , ,. , , , . , , , : 著提高,甚至击穿电压指标明显优于新电缆。基于扫描电子 ? 显微镜 ,、射线光电子 , 能谱分析. ,和红外光.? 谱分析,证明被修复样品击穿通道内有纳米级,颗粒存?在。通过对钛酸酯类催化剂水解反应的生成物研究,证明了 . 该催化剂水解后生成纳米级,颗粒。基于这一发现,提出 了相应的绝缘增强机制及作用模型,认为分散的纳米级, 颗粒有效抑制了通道内由于局部放电产生的烧蚀损伤,从而 增强了电缆的绝缘性能,提高了电缆的击穿电压。 . , 关键词:水树;硅氧烷修复液;纳米颗粒;局部放电? 绝缘增强;电缆修复 , 引言 . 固体绝缘电缆中的水树缺陷,自年首次 ?. ,被正式报道以来?,国内外学者就其诱发原因、生,长机制进行了深入的探讨。。水树缺陷是固体有. 机绝缘电力电缆在潮湿环境运行中,诱发电缆本体?, 击穿故障的主要原因【。

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