基态简并和非简并高分子的光吸收和量子晶格涨落Ξ-复旦大学物理系.PDFVIP

第 48 卷 第 12 期 1999 年 12 月 物 　理 　学 　报 Vol. 48 ,No. 12 ,December ,1999 ( ) 1999/ 48 12 / 230806 ACTA PHYSICA SIN ICA 1999 Chin. Phys. Soc. 基态简并和非简并高分子的 光吸收和量子晶格涨落 章 　健 　吴长勤 　孙 　鑫 ( 复旦大学理论物理研究中心 ,物理系 ,上海　200433) ( ) 1999 年 3 月 18 日收到 　　通过一个简单的孤子反孤子对模型来模拟一维有机高分子中的量子晶格涨落 ,高分子中 电子能隙内的光吸收是由孤子反孤子对激发的两个分别来源于导带的最低未占据和价带的 最高占据离散能级之间的跃迁所产生的. 这样的光吸收没有能隙. 结果明显表明 ,基态非简并 将抑制量子晶格涨落 ,从而减少电子能隙内的光吸收 ,使得基态非简并高分子的光吸收有一 相对明显的吸收边 ,这与实验是一致的. PACC : 6320 K; 0540 ; 7820B 1 　引 言 在一维电声体系 , 电声相互作用使得金属相总是不稳定的 ,这就是派尔斯相变[1 ] . 在电子半满情况 ,晶格形成二聚化 ,基态具有二聚化长程序. 在平均场近似下 ,声子自由度 是经典的 ,对任意小的电声耦合 ,都有派尔斯相变 , 基态是二聚化的绝缘相. 在这个近似 下 ,Su ,Schrieffer 和 Heeger (缩写为 SSH) [2 ]针对导电高分子中的特殊现象提出了一个孤 子模型 ,它成功地解释了许多实验现象 ,并具有丰富的物理内涵[3 ] . 尽管这一电声作用的 平均场理论取得了很大的成功 , 但是许多事实表明量子的声子涨落也很重要. 其中之一 就是在反式聚乙炔的光吸收谱中 ,有一个伸展至能隙中的大尾巴 ,而不是一维刚性晶格模 型中的平方根反比发散. 这一现象就可通过量子晶格涨落的贡献来解释[4 ,5 ] . 而在基态非 简并的顺式聚乙炔中观测到的明显吸收边[6 ] 又表明在非简并高分子中量子晶格涨落有 着不同的表现[7 ] . 在基态简并的反式聚乙炔中 , 由于存在两个简并的基态位形,它们之间的量子穿透决 定基态简并的高分子中量子晶格涨落较大. 在顺式聚乙炔中 , 由于基态简并的分裂,量子 涨落被明显地抑制[7 ] ,更重要的是 ,最近的 ab initio 研究[8 ] 告诉我们由于两类键的不等 价与结构二聚化所导致的电子能隙大小几乎一样 ,这使得顺式聚乙炔只有顺反式结构 , 而根本不存在人们认为的亚稳态反顺式结构. 这一最新结果是与两种聚乙炔中光学吸收 的明显差异相一致的. ( ) ( ) 国家自然科学基金委员会杰出青年科学基金 批准号 , 国家自然科学基金 批准号 , 国家 ( ) 高技术发展计划 批准号 :863715010 和上海市科学技术委员会启明星后基金资助的课题. © 1995-2005 Tsinghua Tongfang Optical Disc Co., Ltd. All rights reserved. 12 期 章 　健等 :基态简并和非简并高分子的光吸收和量子晶格涨落 2309 本文将采用一个简单的孤子反孤子对模型来模拟高分子中的量子晶格涨落[4 ,5 ] ,高 分子中电子能隙内的光吸收是由孤子反孤子对激发的两个分别来源于导带的最低未占据 和价带的最高占据离散能级之间的跃迁所产生的. 与文献[5 ]结果不同的是这样的光吸收 没有能隙 ,并且我们的方法可以