第9章二和晶体管.pptVIP

第9章 二极管和晶体管 9.1 半导体的导电特性 9.1.1 本征半导体 本征半导体的导电机理： 9.1.2 N型半导体和 P 型半导体 二、P型半导体 练习题： 9.1.3 PN结及其单向导电性 9.2 二极管 9.2.1 基本结构 9.2.2 伏安特性 9.2.3 主要参数 9.2.4 二极管电路分析举例 例1： 例2： 例3： 练习题： 9.3 稳压二极管 三、主要参数 四、稳压电路 例2： 9.4 晶体管 9.4.2 电流分配和放大原理 1. 三极管放大的外部条件 2. 各电极电流关系及电流放大作用 晶体管的电流实际方向和发射结、集电结的实际极性 9.4.3 特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 9.4.4 主要参数 2、集-基极反向截止电流 ICBO 晶体管的安全工作区 例1: 练习题： IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （2）截止区 IB 0 以下区域为截止区，有 IC ? 0 。 在截止区发射结处于反向偏置，集电结处于反向偏置，晶体管工作于截止状态。UCE?UCC 饱和区 截止区 （3）饱和区 当UCE? UBE时，晶体管工作于饱和状态。 在饱和区，?IB ? IC，发射结处于正向偏置，集电结也处于正偏。 深度饱和时， 硅管UCES ? 0.3V， 锗管UCES ? – 0.1V。 直流电流放大系数： 交流电流放大系数： 当晶体管接成发射极电路时， 注意： 和? 的含义不同，但在特性曲线近于平行等距并且 ICE0 较小的情况下，两者数值接近。 常用晶体管的? 值在20 ~ 200之间。 1、电流放大系数? ， 例：在UCE= 6 V时， 在 Q1 点IB=40?A, IC=1.5mA； 在 Q2 点IB=60 ?A, IC=2.3mA。 在以后的计算中，一般作近似处理：? = 。 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 0 Q1 Q2 在 Q1 点，有 由 Q1 和Q2点，得 ICBO是由少数载流子的漂移运动所形成的电流，受温度的影响大。 温度??ICBO? ICBO ?A + – EC 3.集-射极反向截止电流(穿透电流)ICEO ICEO受温度的影响大。 温度??ICEO?。 ICEO越小越好。 ?A ICEO IB=0 + – 4、集电极最大允许电流 ICM 5、集-射极反向击穿电压U(BR)CEO 集电极电流 IC 上升会导致三极管的? 值的下降，当? 值下降到正常值的三分之二时的集电极电流即为ICM。 当集—射极之间的电压UCE 超过一定的数值时，三极管就会被击穿。 6、集电极最大允许耗散功耗PCM PCM取决于三极管允许的温升，消耗功率过大，温升过高会烧坏三极管。 PC ? PCM =IC UCE ICUCE=PCM ICM U(BR)CEO 安全工作区 IC UCE O 9.3 稳压管二极管 9.4 晶体管 9.2 二极管 9.1 半导体的导电特性 *9.5 光电器件 半导体的导电特性： 光敏性：受光照后，其导电能力大大增强； 热敏性：当环境温度升高时，导电能力显著增强； 掺杂性：在半导体中掺入少量特殊杂质，其导电 能力极大地增强； (可做成温度敏感元件，如热敏电阻) (可做成各种光敏元件，如光敏电阻、光敏二极管、光敏三极管、光电池等) (可做成各种不同用途的半导体器件，如二极管、三极管和晶闸管等)。 ——完全纯净的、具有晶体结构的半导体。 最常用的半导体是硅(Si) 和 锗(Ge)。 晶体中原子的排列方式 硅单晶中的共价健结构 共价健 Si Si Si Si 价电子 Si 2 8 4 Ge 2 8 18 4 Si Si Si Si 价电子 空穴 自由电子 在常温下，由于热激发(温度升高或受光照) ——本征激发 带负电 带正电 载流子 自由电子 空穴 温度越高，晶体中产生的的自由电子越多。 当半导体两端加上外电压时，在半导体中将出现两部分电流： (1) 自由电子作定向运动 ? 电子电流 (2) 价电子递补空穴 ? 空穴电流 (2) 本征半导体中载流子数目极少, 其导电性能很弱。 注意： (1) 本征半导体中存在数量相同的载流子。 自由电子和空穴成对产生，又不断复合，在一定温度下，达到动态平衡。 (3) 温度愈高， 载流子的数目愈多,半导体的导电性能也愈好。——温