第八章 分布反馈、量子阱和垂直腔面发射激光器.DOCVIP

第八章 分布反馈、量子阱和垂直腔面发射激光器 1. 名词解释：超晶格、I 型超晶格和II 型超晶格、组分超晶格、掺杂超晶格、量子阱、量子线、量子点； 超晶格：两种半导体材料交替生长的薄层组成一维周期结构，每层厚度足够薄，以至于其厚度小于电子在该材料中德布罗意波长。 一型超晶格：由于的不同，可将两种半导体薄层构成超晶格或量子阱的Ⅰ型和Ⅱ型结构。Ⅰ型超晶格结构如下图1，满足：，，。Ⅱ型超晶格结构如下图2，满足：，，。 图1.1 I型超晶格示意图 图1.2 II型超晶格示意图 组分超晶格：利用周期性改变薄层半导体组分而形成的超晶格，如Ga1-xAlxAs/GaAs。 掺杂超晶格：利用周期性改变组分相同的半导体各薄层中的掺杂类型而形成的超晶格。 量子阱：与超晶格结构类似，但周期数有限，如果限制势阱的势垒厚度足够厚，大于德布罗意波长，那么不同势阱中的波函数不再交叠，势阱中的电子的能级状态变为分立状态，这种结构称为量子阱。 量子线：其让导带电子、价带空穴及激子受到二维限制，只有一维自由度，载流子限制在了线状势阱中。 量子点：其让载流子受到三维限制，有零维自由度，载流子限制在箱状势阱中。 2. DFB激光器与F-P腔激光器在原理、结构和性能上有何差别？ 结构： 对于普通的F-P腔激光器，结构上主要依赖于一对平行的解理面形成光腔，进而用以光反馈放大使激光产生；DFB激光器不是依赖于激光器的端面反射镜形成光腔，而是在整个腔上，依靠刻蚀在激光器有源层（激活区）或其相邻波导层上的周期光栅。 原理和性能： F-P腔激光器的光反馈是通过两个解离面的反射实现，纵模的选择是由增益谱决定的，由于增益谱通常比纵模间隔宽的多，所以难于实现单纵模工作。 DFB激光器的光反馈是通过有源层或其相邻波导层上的周期性光栅所形成的扰动，即通过布拉格衍射提供分布反馈的，这种反馈作用使得激活区内的前向波与后向波发生相干耦合。这种工作机制易出现单纵模，但可能出现的单纵模往往是由于DFB区两端的不对称的反射所致，这时输出功率往往不稳定，并可能产生跳模和不稳定的两模振荡。通过在均匀波纹光栅的DFB区中形成相移区，来实现以最强的反馈、最低的阈值增益在布拉格波长λb 下实现动态单纵模工作。 3. DFB激光器中相移区有何作用？为什么能起到这种作用？ 作用：实现以最强的反馈、最低的阈值增益在布拉格波长λb下实现动态单纵模工作。同时由于主模和次模的阈值增益相差很大，可能得到次模抑制比大于30db的稳定单纵模。通过扰动正反行波的对称性，使辐射功率集中到一个主模上，同时使各振荡模式的阈值增益差增大。 原理：将DFB区分为左和右两段，在不加入相移区时，左右两段内的各自正反向行波会形成驻波，而驻波波节均位于正向波传播方向上等效折射率增加最快之处。由下图可见， 图3.左图 一般正弦光栅、等效折射率分布及光强分布，右图为加入位移光栅、等效折射率分布及光强分布 左段和右段的驻波在DFB区两段的分界处不能平滑相接，因此不能在布拉格波长上发生谐振，，为等效折射率，Λ为正弦光栅周期。 但若在分界处引入相移区，行波经过往返会产生Φ=π的相移，从而使两段的驻波平滑相接，一些研究表明，相移区的位置在偏向输出端面时，会使输出功率增加，且单纵模重复性好，但相应振荡波长也会稍有偏离λb。 4. 半导体阈值电流十分依赖工作温度。有一个激光器的实验数据为：在0℃ 、25℃和50℃下，阈值电流分别为57.8mA\76mA和100mA 。试画出同绝对温度T 的指数关系，并以这三点数据为基础，推导出同T 的关系表达式。 解： 所有半导体激光器的阈值电流密度均随温度的升高而明显增大，增大的幅度随不同的激光器而已，认为影响半导体的温度相关的因素主要是：①增益系数 g；②内量子效率；③内部载流子和光子损耗（将俄歇复合，载流子与有源层中缺陷和异质结界面态的复合损失归于内量子效率考虑） 因影响半导体温度特性的因素很多，为便于测量，一般用近似式：来表示温度对的影响，其中 为室温，为特征温度，为室温下的阈值电流密度。 取25℃为室温，则由题意可知：，将其他数据代入： 将两式中的特征温度求平均，可得 可得同T 的关系表达式： 物理意义： 半导体激光器的阈值电流随温度升高而明显增大，增大幅度随不同激光器而已。特征温度越高，代表激光器的温度稳定性越好，，则半导体激光器的不随温度变化。 图4a.Ith与T的关系图 图4b.T=0K时，Ith=2.88mA；T=300K时，Ith=77.6mA 5. 试述量子阱激光器的工作原理。为什么量子阱激光器的发射波长小于 ？ 工作原理：有源层厚度薄到玻尔半径或德布罗意波长数量级时，会出现量子尺寸效应，这时载流子被限制在有源层构成的势阱中，即量子阱，这导致自由载流子受到一维限制，