高德红外-锑化物超晶格探测器的产业化展望.pdfVIP

锑化物超晶格探测器的产业化 展望 一、制冷红外探测器的发展 二、锑化物超晶格探测器技术 三、超晶格探测器的发展现状 …… 四、超晶格探测器的产业化优势 五、高德红外探测器发展及规划 一、制冷红外探测器的发展 二、锑化物超晶格探测器技术 三、超晶格探测器的发展现状 …… 四、超晶格探测器的产业化优势 五、高德红外探测器发展及规划 制冷红外探测器的发展  红外探测器应用领域 红外探测器—探测目标红外辐射光谱及其成像 制冷红外探测器的发展  红外探测器的发展历程 红外探测器与系统的发展:第一代系统是 机械线扫系统; 第二代为凝视电扫系统; 第三 代发展以多色化、多种片上功能集成为技术 特点的探测器系统。 制冷红外探测器的发展  探测器性能的进一步提升  更高的工作温度，更低的功耗；  器件可靠性提高。  探测器规格的进一步扩大  超长线列；  单片超大面阵（4Kx4K ）、超小像元 （5um ）。  探测器工作波段的延伸和细化  探测器波段长波、甚长波拓展；  探测器波段进一步细分（高光谱）。 第三代制冷红外探测器的发展方向  多色、智能化、灵巧型焦平面器件  多色、双色探测器；  3D主被动成像探测器。 制冷红外探测器的发展 更高的工作温度 法国solfradir ：P-on-n结构（CZT基） 美国西北大学：Type II-SLs焦平面 美国Raytheon ：陷光（光子晶体）焦  英国SELEX ：MOVPE ，Film on GaAs 平面 制冷红外探测器的发展 更小的像元尺寸 制冷红外探测器的发展 多色化应用 制冷红外探测器的发展 材料体系的发展 MCT （碲镉汞）～ 历程40年 QWIP （量子阱）～ 历程20年 SLs （超晶格）～ 历程10年 现有FPA 新型FPA 衬底小/软；来源受限； MCT/CZT 波长小于14μm ；工艺复 MCT/Si 杂；均匀性差；… InSb 波长小于7μm ；无法实 InAs/GaSb SLs 现多色探测；… 探测效率低；工作温度低 QWIP …… 于同波长MCT探测器，… 一、制冷红外探测器的发展 二、锑化物超晶格探测器技术 三、超晶格探测器的发展现状 …… 四、超晶格探测器的产业化优势 五、高德红外探测器发展及规划 锑化物超晶格探测器——材料 6.1Å 材料家族 AlSb GaSb