InGaAs单光子探测器传感检测和淬灭方式.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 10 (2014) 104216 InGaAs 单光子探测器传感检测与淬灭方式∗ 郑丽霞 吴金 张秀川 涂君虹 孙伟锋 高新江 1)(东南大学无锡分校, 无锡 214135) 2)(东南大学国家ASIC 工程中心, 南京 210096) 3)(中国电子科技集团第44 研究所, 重庆 400060) ( 2013 年12 月11 日收到; 2014 年1 月8 日收到修改稿) 针对InGaAs 单光子雪崩光电二极管(SPAD) 的光电感应特性, 研究了基于门控主动式淬灭的SPAD 动 态偏置控制和电路实现的策略. 采用门控主动淬灭控制可降低淬灭时间, 有效抑制暗计数和后脉冲效应. 接 口感应检测电路采用标准互补金属氧化物半导体(CMOS) 工艺进行制造, 而SPAD 则采用非标准CMOS 工 艺. 利用铟柱互连混合封装工艺实现SPAD 与感应接口电路的协同工作. 在低温 C 的条件下, 实现了 SPAD 光触发雪崩电流信号的提取和快速淬灭. 研究了感应电阻和临界检测电压对传感检测电性能的影响, 并采用简单电路结构实现状态检测, 实测得到的SPAD 恢复时间、传输延时分别为575, 563 ps, 淬灭时间为 1.88 ns, 满足纳秒级精度传感检测应用的需要. 关键词: 单光子雪崩二极管, 盖革模式, 门控, 主动淬灭 PACS: 42.66.Lc, 42.50.–p DOI: 10.7498/aps.63.104216 模式. 显然, 光子触发电流的增益将随反偏电压的 1 引 言 增加而指数式增大, 增益变化范围达到10 —10 . 提高SPAD 的反向偏置电压可大幅度提升探测器 随着雪崩二极管探测技术的发展, 能探测微弱 的检测灵敏度, 但器件长期处于高反偏的雪崩电流 信号的光电探测器已接近甚至达到单光子检测灵 模式下, 其可靠性和稳定性退化明显. 通常采用门 敏度的水平. 在适当的偏置条件下, 此类新式光电 控限定SPAD 的最大工作时间. 探测器可在复杂的噪声环境中探测到极微弱的回 在盖革模式的待测条件下, 即使采用门控技术 波信号, 从而实现低功率下的远程探测. 单光子探 限定SPAD 的最大工作时间, 在利用光子触发的雪 测器可广泛应用于三维成像、高超音速飞行器探测 预警、国土安全与监视、量子加密系统等12 . 崩电流完成光子检测后, 也必须立刻淬灭SPAD 雪 在单光子探测中, 一般要求单光子雪崩光电二 崩电流, 如果不能及时淬灭持续的雪崩电流, 过大 极管(SPAD)偏置在高增益的盖革模式下, 其反向 的感应电流持续过长时间将使得探测器性能和可 偏置电压已超过器件自身的雪崩击穿电压. 在此条 靠性退化, 同时也无法继续进行下一个光子的探 件下SPAD 进入待测模式, 当待测模式下的SPAD 测. 淬灭电路的作用就是快速检测到雪崩电流并提 感应到单个光子时,