三场效应管.pptVIP

图3.11为输出特性曲线，与结型场效应管类似，也分为可变电阻区、恒流区（放大区）、夹断区和击穿区，其含义与结型场效应管输出特性曲线的几个区相同。 图3.11 输出特性曲线 2. N沟道耗尽型MOS管 1）结构、符号和工作原理 N沟道耗尽型MOS管的结构如图3.12（a）所示，图形符号如图3.12（b）所示。N沟道耗尽型MOS管在制造时，在二氧化硅绝缘层中掺入了大量的正离子，这些正离子的存在，使得UGS=0时，就有垂直电场进入半导体，并吸引自由电子到半导体的表层而形成N型导电沟道。 图3.12 N沟道耗尽型MOS管的结构和符号 （a）结构;（b）图形符号 如果在栅源之间加负电压，UGS所产生的外电场就会削弱正离子所产生的电场，使得沟道变窄，电流ID减小;反之，电流ID增加。故这种管子的栅源电压UGS可以是正的，也可以是负的。改变UGS，就可以改变沟道的宽窄，从而控制漏极电流ID。 2）特性曲线 （1）输出特性曲线。N沟道耗尽型MOS管的输出特性曲线如图3.13 （a）所示，曲线可分为可变电阻区、恒流区（放大区）、夹断区和击穿区。 图3.13 N沟道耗尽型MOS管特性 （a）输出特性曲线 （2）转移特性曲线。N沟道耗尽型MOS管的转移特性曲线如图3.13 （b）所示。从图中可以看出，这种MOS管可正可负，且栅源电压UGS为零时，灵活性较大。 当UGS=0时，靠绝缘层中正离子在P型衬底中感应出足够的电子，而形成N型导电沟道，获得一定的IDSS。 当UGS0时，垂直电场增强，导电沟道变宽，电流ID增大。 当UGS0时，垂直电场减弱，导电沟道变窄，电流ID减小。 当UGS=U GS(th)时，导电沟道全夹断，ID=0。 第三章 场效应管 场效应管（简称FET）是利用输入电压产生的电场效应来控制输出电流的，所以又称之为电压控制型器件。它工作时只有一种载流子（多数载流子）参与导电，故也叫单极型半导体三极管。因它具有很高的输入电阻，能满足高内阻信号源对放大电路的要求，所以是较理想的前置输入级器件。它还具有热稳定性好、功耗低、噪声低、制造工艺简单、便于集成等优点，因而得到了广泛的应用。 根据结构不同，场效应管可以分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅型场效应管（IGFET）或称MOS型场效应管两大类。根据场效应管制造工艺和材料的不同，又可分为N型沟道场效应管和P型沟道场效应管。 3. 1结型场效应管 1.结构和符号 1）结构 结型场效应管（JFET）结构示意图如图3.1（a）所示。 图3.1 N沟道结型场效应管 （a）结构示意图;（b）图形符号;（c）外形图 图3.2P 沟道结型场效应管 （a）结构示意图;（b）图形符号 ? 2. 工作原理 现以N沟道结型场效应管为例讨论外加电场是如何来控制场效应管的电流的。 如图3.3所示，场效应管工作时它的两个PN结始终要加反向电压。对于N沟道，各极间的外加电压变为UGS≤0，漏源之间加正向电压，即UDS＞0。 当G、S两极间电压UGS改变时，沟道两侧耗尽层的宽度也随着改变，由于沟道宽度的变化，导致沟道电阻值的改变，从而实现了利用电压UGS控制电流ID的目的。 图3.3 场效应管的工作原理 1）UGS对导电沟道的影响 当UGS＝０时，场效应管两侧的PN结均处于零偏置，形成两个耗尽层,如图 3.4 （ａ）所示。此时耗尽层最薄，导电沟道最宽，沟道电阻最小。 当|UGS|值增大时，栅源之间反偏电压增大，PN结的耗尽层增宽，如图3.4（b）所示。导致导电沟道变窄，沟道电阻增大。 ? 当|UGS|值增大到使两侧耗尽层相遇时，导电沟道全部夹断，如图3.4 （c）所示。沟道电阻趋于无穷大。对应的栅源电压UGS称为场效应管的夹断电压， 用UGS(off)来表示。