As压调制InAlAs超晶格对InAs纳米.PDFVIP

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2018-12-11 发布于湖北
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As压调制InAlAs超晶格对InAs纳米.PDF

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( ) 第卷第期西南大学学报自然科学版年月 39 3 2017 3 ( ) Vol.39 No.3 JournalofSouthwestUniversit NaturalScienceEdition Mar. 2017 y : / DOI 10.13718 .cnki.xdzk.2017.03.018 j As压调制的InAlAs超晶格对InAs纳米结构光学特性的影响① 1 1 1 2 3 谷云高 , 杨新荣 , 周晓静 , 徐波 , 王俊忠 , ; , ; 1.邯郸学院机电学院河北邯郸 056005 2.中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室北京 100083 , 3.西南大学物理科学与技术学院重庆 400715 : ( ) / / ( ) , 摘要利用固源分子束外延设备生长出纳米结构材料探讨了压调制的 MBE InAsInAlAsInP001 As InAlAs 超晶格对纳米结构光学特性的影响结果表明, 压调制的超晶格能有效地调整纳米结构的形 InAs . As InAlAs InAs 、 , , , 貌特性发光峰位改善发光线宽提高辐射效率从而有利于其在长波长光电器件方面的应用. : ; ; 关键词超晶格纳米结构光学特性 InAlAs InAs 中图分类号: 文献标志码: 文章编号: ( ) O47 A 1673 9868201703 0115 05 , 1.3~1.55 m波段对应着石英玻璃光纤的低色散低损耗窗口这一波段的激光器和探测器是光纤 μ 通讯系统最核心的光电子器件而目前光纤通讯中使用的光电子器件仍主要为 / 量 . 1.55 m InGaAsPInP μ , / , , 子阱激光器由于 InGaAsPInP的导带带阶小使其器件温度特性较差为改善其温度特性所需的工艺 ( )