单元半导体三极管及其放大电路 (NXPowerLite).ppt

电工与电子技术 主 编：李 文 王庆良 副主编：孙全江 韦 宇 主 审：于昆伦 单元7 半导体三极管及其放大电路 【知识点】 三极管的结构、电流放大作用、特性曲线及主要参数；三极管基本放大电路、多级放大电路、功率放大器等电路的组成、工作原理、分析计算、元件的选用及应用。 【能力目标】 具有对基本电子电路进行分析计算和正确选择元器件的能力；能看懂国内外电子线路图，通过电子线路图组装和调试简单的电子设备。 目 录 7.1 半导体三极管 三极管的结构 三极管又称晶体管，它的种类很多。从其内部结构来看，分为NPN型和PNP型两种三极管。其中NPN型多为硅管，而PNP型多为锗管。 三极管是由两个PN结的三块杂质半导体组成，不管是NPN型还是PNP型，都由三个区组成：集电区、发射区、基区，以及分别从这三个区引出的三个电极：集电极C、发射极E、基极B。两个PN结分别是发射区与基区之间的发射结和集电区与基区之间的集电结。在电路中，两种管子的内部结构和符号如图7.1所示。图中箭头表示发射结在加正向电压时的电流方向。常见的三极管的外形如图7.2所示。 7.1 半导体三极管 7.1 半导体三极管 7.1 半导体三极管 三极管的类型 三极管根据基片的材料不同，分为锗管和硅管两大类，目前国内生产的硅管多为NPN型（3D系列），锗管多为PNP型（3A系列）；按频率特性分为高频管和低频管；按功率大小分为大功率管、中功率管和小功率管等。实际应用中采用NPN型的三极管较多，所以下面以NPN型三极管为例加以讨论，所得结论对于PNP型三极管同样适用。 7.1 半导体三极管 三极管内部载流子的运动过程 要实现三极管的放大作用， 需要外加合适的电源电压。 要求发射结外加正向电压， 简称正向偏置；集电结外 加反向电压，简称反向偏 置。如图7.3所示。 7.1 半导体三极管 （1）发射区向基区发射电子 由于电源EB经过电阻RB加在发射结上，发射结正偏。发射区的多数载流子——自由电子不断通过发射结向基区扩散，形成发射极电流IE。同时基区多数载流子空穴也向发射区扩散，但由于基区的多数载流子浓度远远低于发射区载流子浓度，故与电子流相比，空穴流可以忽略不计。因此可以认为三极管发射结电流主要是电子流。 7.1 半导体三极管 （2）电子在基区中的扩散和复合 由发射区注入基区的电子，在发射结附近积累起来，形成了一定的浓度梯度，而靠近集电结附近电子浓度很小，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区向集电结扩散，在扩散过程中，电子不断与基区空穴复合形成电子流IBN，复合的空穴由基极电源补充，从而形成基极电流IB。 7.1 半导体三极管 （3）集电区收集电子 由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力一方面使集电区的电子和基区的空穴很难通过集电结；另一方面吸引基区中扩散到集电结附近的大量电子，将它们收集到集电区，形成收集电流ICN。同时集电区的少数载流子即空穴也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流ICBO。 以上分析的是NPN型三极管的电流放大原理，对于PNP型三极管，其工作原理相同，只是三极管各极所接电源极性相反，发射区发射的载流子是空穴而不是电子。 7.1 半导体三极管 电流分配关系 由上面载流子的运动过程可知，由于电子在基区的复合，发射区注入基区的电子并非全部到达集电极，三极管制成后，发射区注入的电子传输到集电结所占的比例是一定的。如图7.4描述了三极管电流分配关系。 7.1 半导体三极管 从图中可知： 由于在常温下ICBO的数值很小，可忽略不计。故 以因为 所以 设 故 上式中IC与IB的比值，即共射极直流电流放大系数，用 表示。 7.1 半导体三极管 放大作用 三极管的最基本的作用是把微弱的电信号加以放大，三极管的放大电路如图7-5所示。因发射极是基极回路和集电极回路的公共端，所以此电路又叫共射极放大电路。如果 =20μA， =1.2mA，则 =（0.02+1.2）mA= 1.22mA,电流放大倍数 =60。若调节 电阻 ，使电流 增加 10μA，则相应地增加了 =0.0160mA=0.6mA。由 此可见，当基极有微小的变 化时，集电极会有很大的变 化，这说明三极管有电流放 大作用。 7.1 半导体三极管 三极管的特性曲线是指三极管各电极电压与电流之间的关系曲线，它是三极管内部载流子运动的外部表现。由于三极管有三个电极，输入、输出各占一个电极，一个公