主动及被动CMOS合成波导与电路.PDFVIP

行政院國家科學委員會專題研究計畫 成果報告 主動及被動CMOS合成波導與電路 計畫類別：個別型計畫 計畫編號：NSC93-2213-E-002-136- 執行期間：93年08月01日至94年07月31日 執行單位：國立臺灣大學電信工程學研究所 計畫主持人：莊晴光 計畫參與人員：吳憲宏、黃瑞琦、王紳、李思賢、王彥翔 報告類型：精簡報告 處理方式：本計畫可公開查詢 中 華 民 94年8月23日 國 行政院國家科學委員會專題研究計畫成果報告 主動及被動 CMOS 合成波導與電路 計畫編號： NSC 93-2213-E-002-136 執行期限： 93 年 8月 1日至 94 年 7月 31日 主持人：莊晴光教授 國立台灣大學電信工程學研究所 計畫參與人員：黃瑞琦 國立台灣大學電信工程學研究所 王紳 國立台灣大學電信工程學研究所 李思賢 國立台灣大學電信工程學研究所 王彥翔 國立台灣大學電信工程學研究所 吳憲宏 國立交通大學電信工程學研究所 一、中文摘要 fp 之間。 本計劃雖屬基礎 CMOS 合成 本計劃區隔三大類的 CMOS 波導 波導研究，不包含許多可能之應用研究， 設計，依工作頻率區分如下 : (1) 介於 DC 仍將盡可能拓展合成波導在 smart antenna 及 fa 之間。 fa 為主動 CMOS 合成波導 或 RFIC 之設計。 之工作上限頻率，以 0.18µm CMOS 為 例約在 5GHz 。 在這種主動 CMOS 合成 關鍵詞 ：CMOS合成波導、互補式金屬波導 波導為週期結構，由單位細胞 (cell)構成 ; Abstract 每一細胞由上下藕合之互補式金屬波導 形成 (Complementary-Conducting-Strips Advance in CMOS technology has positioned CMOS RFIC a dominant IC Waveguide; 中華民國專利公報中 ; 美國 technology for transceiver block of RF signal 專利申請中 ); 而每一細胞都銜接上一主 processing, replacing the bipolar and 動負電阻電路。 如此形成可能是已知波 GaAs-based IC technologies. Trend toward higher microwave and millimeter-wave 導中在常溫無損耗的傳輸特性之第一 regimes is expected for CMOS to take over 例。 (2)被動式毫米波 CMOS 合成波