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1、课程在专业教育中的位置;3、积极参与到实践教学中去，培养动手能力！;第一章 半导体器件 4－5学时 第二章 放大电路的基本原理 6学时 第三章 放大电路的频率特性 2学时 第五章 集成运算放大器 6学时 第六章 放大电路中的反馈 6学时 第七章 模拟信号运算电路 4学时 第八章 信号处理电路 2学时 第九章 波形产生电路与变换电路（自学） 第四章 低频功率放大电路 （自学） 第十章 直流电源 （自学）;第一章　半导体器件;;硅原子结构;1.1.1　本征半导体 ;+4;1. 半导体中两种载流子;1.1.2　杂质半导体;+4;二、 P 型半导体;说明：;;一、 PN 结中载流子的运动;3. 空间电荷区产生内电场;5. 扩散与漂移的动态平衡;二、 PN 结的单向导电性;空间电荷区;　　综上所述： 　　当 PN 结正向偏置时，回路中将产生一个较大的正向电流， PN 结处于 导通状态；当 PN 结反向偏置时，回路中反向电流非常小，几乎等于零， PN 结处于截止状态。 　　可见， PN 结具有单向导电性。;;半导体二极管的类型：;二极管的伏安特性;1. 正向特性;2. 反向特性;3. 伏安特性表达式(二极管方程);结论：;;;电路1的波形图;图2 双向限幅电路;图3 单向整流电路;图4 二极管门电路;　　当二极管上的电压发生变化时，PN 结中储存的电荷量将随之发生变化，使二极管具有电容效应。;2. 扩散电容 Cd;综上所述：; ; 稳压管的参数主要有以下几项：;4. 电压温度系数 ?U;5. 额定功耗 PZ;VDZ;稳压管与一般二极管的区别：;2、PN结的导电性有何特点？;;;1.3.1　三极管的结构;图 1.3.3　三极管结构示意图和符号　　;集电区;;三极管内部结构要求：;b;b;b;三个极的电流之间满足节点电流定律，即;上式中的后一项常用 ICEO 表示，ICEO 称穿透电流。;三极管的电流分配关系;IB/mA -0.001 0 0.01 0.02 0.03 0.04 0.05;　　根据 ? 和 ? 的定义，以及三极管中三个电流的关系，可得;;一、输入特性;　　(2) UCE 0 时的输入特性曲线;二、输出特性;2. 放大区：;3. 饱和区：;;1. 共射电流放大系数 ?;二、反向饱和电流;三、 极限参数;3. 极间反向击穿电压;; PNP 三极管电流和电压实际方向。;;D;???　1. 设UDS = 0 ，在栅源之间加负电源 VGG，改变 VGG 大小。观察耗尽层的变化。;　　2. 在漏源极间加正向 VDD，使 UDS 0，在栅源间加负电源 VGG，观察 UGS 变化时耗尽层和漏极 ID 。;G;特性曲线;IDSS/V;;一、N 沟道增强型 MOS 场效应管;2. 工作原理;(2) UDS = 0，0 UGS UT;D;3. 特性曲线;二、N 沟道耗尽型 MOS 场效应管;N 沟道耗尽型 MOS 管特性;;二、交流参数;三、极限参数;种 类;种 类;2、如何理解三极管的放大作用？;;难点：半导体中载流子的运动，如何由此理解半导体二极管的单向导电性、三极管的放大作用和场效应管的放大原理、特性曲线及主要参数；