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第二章 氧 化 硅的热氧化 ? 铁、铜、银等金属的自然氧化 ? 硅、硫、磷等非金属的自然氧化 硅的热氧化是通过将硅片放在高温（通常 750 ℃ ～1100℃ ）的氧气或水汽气氛下，使其表面生长一层氧化层（SiO2）的过程 。该二氧化硅（SiO2）是一种绝缘介质材料、不导电。 氧化工艺目的：在硅片上生长一层二氧化硅层以保护硅片表面、器件隔离、屏蔽掺杂、形成电介质层等。 氧化是硅基集成电路的基础工艺之一 2.2 氧化原理 氧化是氧分子或水分子在高温下与硅发生化 学反应，并在硅片表面生长氧化硅的过程。 其化学反应式： ■ 干氧氧化：Si＋O2 →SiO2 ■ 湿氧氧化：Si ＋ H2O ＋O2 → SiO2+H2 ■ 水汽氧化：Si ＋ H2O → SiO2 ＋ H2 ■ 硅的氧化温度：750 ℃ ～1100℃ 氧化系统 氧化过程 氧化物生长速率 氧化层生长第一阶段（厚度大约150埃以下） 为线性生长阶段： 氧化层生长第二阶段（厚度150埃以上）为 抛物线生长阶段： 其中X为氧化层厚度 B/A为线性速率系数、B为抛物线速率系数 t为生长时间 B/A和B与温度、氧化剂浓度，反应室压力等因素有关。 氧化物生长曲线 干氧氧化速率曲线 常规的氧化工艺 硅片清洗（除去硅片上的各种沾污） 装片进炉（手动或自动以5cm/分的速度进入850℃的恒温区） 斜坡升温（以10 ℃ /分从850℃ 升到1100℃ ） 氧化 温度1100℃ 时间t＝20分干O2＋60分湿O2＋ 20分干（O2＋HCl） 常规的氧化工艺 斜坡降温（以5℃ /分从1100℃ 降到850℃ ） 出片（手动或自动以5cm/分的速度出850℃的恒温区） 质量检查（厚度及其均匀性、表面缺陷、固定和可动电荷的检测） SiO2厚度大约600nm左右 先进的氧化工艺 氢氧合成工艺 ■ 湿氧氧化：Si ＋ H2O ＋O2 → SiO2+H2 ■ 水汽氧化：Si ＋ H2O → SiO2 ＋ H2 H2 ＋O2 → H2O 气体流量比很重要！ 三种热氧化层质量对比 氧化消耗硅 选择性氧化：常用于硅的局部场氧化LOCOS （LOCal Oxidation of Silicon） 2.3 SiO2结构、性质和用途 SiO2的原子结构： 属于非晶体、无定形结构，Si-O 四面体在空 间无规则排列。 SiO2的化学性质 SiO2 的化学性质非常稳定，仅被 HF 酸腐蚀 SiO2在集成电路中的用途 1.做MOS结构的电介质层 2.限制带电载流子场区隔离 3.保护器件以免划伤和离子沾污 4.掺杂中的注入掩蔽 5.减小氮化硅与下层之间应力的垫氧化层 6.减小注入损伤及沟道效应的注入屏蔽氧化层 7.导电金属之间的层间介质 ①电介质层：用做MOS晶体管栅和源漏衬底之间的电介质层—栅氧化层 注：用热生长方法形成 ②场区隔离层（场氧化层）（STI形成的）：用做单个晶体管之间的隔离阻挡层使它们彼此之间电气隔离。 STI（Shallow Trench Isolation） 注：用CVD方法形成 ②场区隔离层（场氧化层）（硅局域氧化LOCOS形成的）：用做单个晶体管之间的隔离阻挡层使它们彼此之间电气隔离。 ②场区隔离层（场氧化层）（硅局域氧化LOCOS形成的）：用做单个晶体管之间的隔离阻挡层使它们彼此之间电气隔离。 ③保护层：保护有源器件和硅表面免受后续工艺的影响 ④掺杂掩蔽层：作为注入或扩散掺杂杂质到硅中的掩蔽材料 ⑤垫氧层：做氮化硅与硅之间的缓冲层以减小氮化硅与硅之间的应力 ⑤垫氧层：做氮化硅与金属之间的缓冲层以减小氮化硅与金属膜之间的应力 ⑥注入屏蔽氧化层：用于减小注入损伤及减小沟道效应 ⑦金属间的绝缘层：用作金属连线间的绝缘保护层 氧化层应用的典型厚度 2.4 SiO2－Si界面及掺氯氧化 热生长SiO2 – Si 系统中的实际电荷情况 在实际的SiO2 – Si 系统中，存在四种电荷： 1. 可动电荷： 指Na＋、K＋离子，来源于工艺中的化学试剂、器皿和各种沾污等。 2. 固定电荷：指位于SiO2 – Si 界面2nm以内的过剩硅离子，可采用掺氯氧化降低。 3. 界面态：指界面陷阱电荷(缺陷、悬挂键），可以采用氢气退火降低。 4. 陷阱电荷：由辐射产生。 掺氯氧化 在氧化工艺中通常在氧化系统中通入少量的氯气（浓度在3％以下）以改善SiO2的质量。其作用有二： 1、氯离子进入SiO2－Si界面与正电荷中和以减少界