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载流子寿命 半导体中的非平衡载流子寿命是半导体的一个基本特性参数， 它的长短将直接影响到依靠少数载流子来工作的半导体器件的性能，这种器件有双极型 器件和p-n结光电子器件等。但是，对于在结构上包含有p-n结的单极型器件 （例如 MOSFET）也会受到载流子寿命的影响。 非平衡载流子寿命主要是指非平衡少数载流子的寿命。影响少子寿命的主要因素是半导 体能带结构和非平衡载流子的复合机理；对于Si 、Ge、GaP等间接禁带半导体，一般 决定寿命的主要因素是半导体中的杂质和缺陷。 对于少子寿命有明显依赖关系的电子器件特性，主要有双极型器件的开关特性、导通特 性和阻断特性；对于光电池、光电探测器等之类光电子器件，与少子寿命直接有关的特 性主要有光生电流、光生电动势等。 （1）少子寿命对半导体器件性能的影响： ① 双极型器件的开关特性与少子寿命的关系： 双极型器件的开关特性在本质上可归结为p-n结的开关性能。 p-n结的开关时间主要是关断时间，而关断时间基本上就是导通时注入到扩散区中的少 子电荷消失的过程时间 （包括有存储时间和下降时间两个过程）。少子寿命越短，开关 速度就越快。因此，为了提高器件的开关速度，就应该减短少子寿命。 ② 器件的阻断特性与少子寿命的关系： 半导体器件在截止状态时的特性——阻断特性，实际上