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VI V IV III 2. ETCH Aging ( 老化 ) Air Valve ( 空压阀 ) AL Electrode ( Al 电极 ) Anisotropic ( 各向异性 ) Anode ( 下面电极 ) Asher (除灰 ) ATM ( 大气压 ) Auto Match ( 自动匹配 ) Chamber ( 处理室 ) CPU ( 中央处理器 ) Down stream Electrode ( 电极 ) Electrode Gap ( 电极间距 ) 把Process chamer达到工序环境而进行的作业 ( = Seasoning ) 用空气开关通道的阀门 加于RF Power的电极, 是涂上纯 Al 或薄膜Al?O?的电极 从Plastic Resin 得到的不均匀的锁链状组合结构的碳电极 与P/R同样大小垂直蚀刻的现象 形成plasma的电极中接地的电极 利用Plasma除去 PR的装置 大气压 ( 760Torr ) Atmosphere的略语 自动转达 RF Power达到最大的装置 形成plasma的电极中转达 power的电极 进行主蚀刻工序的封闭的真空空间 给设备供给一定温度不冻液的装置 OH基在 Cl?触媒作用下,在 Al表面腐蚀的现象 Al ( OH?) Central process Unit的简写,象人脑一样对各种情报进行判断下指令的作用 Plasma形成于W / F的远处后,使离子像水流似的流到 W / F的方式 ( Low Damcpe ) ATM状态下 对chamber抽吸的 pum ( 不用油) Anode ( 下面电极 )和 Cathode (上面电极 ) 平坦类型中 Anode和cathode之间间距 上面电极和下面电极之间的间距 II I Amorphous Carbon ( 不定形碳 ) Cathode ( 阴极 ) Chiller ( 水冷却器 ) Corrosion ( 腐蚀 ) Dry Pump E.P.D ( 终点检测 ) 为得到Etch的终点而作用的装置, 主要由波长的强度变化来检测. Gap ( 间距 ) 3. 设备技术用语 术 语 解 释 VI V IV III Leak Rate ( 漏出率 ) Plasma PR Strip 真空状态下 空气流出外部的时间完全由外部leak或out Gassing控制, 此时压力上升的数值 而制作的辅助空间 Printed Circuit Board 气体中加上高频能量形成同样数量的正电荷和负离子还有中性分子存在的部分离子化气体状态 一般灰的概念除 mack P/R的工序 蚀刻时没有完全蚀刻的状态 Idle Status ( 准备状态 ) 在Chamber内 起RF和 u-wave的 GND作用 设备处于没有进行工序的准备或工序完成状态 I II W/F处于外部和 Process chamber之间移动过程中,使 process chamber一直保持高真空状态 Load Lock ( 辅助室 ) Under Etch II Ground Ring ( 接地环 ) PCB ( 印刷电路板 ) 术 语 解 释 3. 设备技术用语 VI V IV III 3. CVD ATM ( 大气压 ) Back Stream ( 逆流 ) Buffer ( CH – 缓冲器 ) PVD Gasket Hot plate Hot purge R.F ETCH Regen Shield Susceptor 与大气层同样的气压 ( 760Torr ) 象设备之间的异常气压, 与原来的流向相反, 气体和流体流动的状态 移动Wafer之前暂时停留的场所 用HI - VAC pump制造真空状态, 把分子在10? ~ 20?K 左右温度下凝结起来保持真空 插入于Gas Line之间的 Joint部位的部品,防止连接部位与 Metal Contact之间漏气 为提高Liquid delivery system的Temp的 source部 plate 指利用热 N?气体净化的过程,指 `Cryo - Pump Regen′ 工序 利用Physical Vapor Deposition 物理性质的 Film沉积方法 Regeneration 再生的意思, 指Cryo - Pump Regeneration 指利用R·F Power蚀刻形成