Al-glass-Al阳极键合界面及力学性能的分析.PDFVIP

第 39 卷 第 9 期 焊 接 学 报 Vol.39(9):071 − 075 2 0 1 8 年 9 月 TRANSACTIONS OF THE CHINA WELDING INSTITUTION September 2018 Al-glass-Al阳极键合界面及力学性能的分析 陈大明， 胡利方， 薛永志， 陈少平， 王文先 (太原理工大学 材料科学与工程学院，太原　030024) 摘 要： 利用两步法阳极键合技术成功实现了Al-glass-Al 的连接，利用扫描电镜(SEM) 观察Al-glass 界面形貌，利 用辉光放电发射光谱仪(GD-OES) 分析界面元素(K，Na ，O，Al) 分布规律，利用原子力显微镜(AFM) 分析键合前 后玻璃的表面形貌，采用万能材料试验机测试了不同工艺参数下试样的力学性能. 结果表明，第二次键合界面电流 3+ + 值明显高于第一次键合界面电流值；Al-glass-Al 界面结合良好,玻璃两侧界面无明显差异；Al 有向Na 耗尽层中扩 + + 散的趋势，先形成的耗尽层中Na 浓度明显高于后形成的耗尽层；键合过程中，Na 在玻璃表面析出，玻璃表面Ra 升 高，玻璃表面质量下降是造成玻璃试样沿第二次键合面Al(2)-glass 界面断裂的主要原因. 关键词： 阳极键合；铝–玻璃–铝；辉光放电发射光谱分析；微机电系统 中图分类号：TG 456.9 文献标识码：A doi：10.12073/j.hjxb.2018390227 0 序　　言 检测极限高，不能精确表征界面附近各元素的分布 规律. 辉光放电发射光谱分析法(GD-OES) 具备检 1969 年，Wallis 和Pomerantz[1]第一次提出阳极 测速度快、操作简单、测量范围广、检出限低和精度 键合技术，经过近50 年的不断发展，该方法已成为 高等特点，因此，GD-OES 可作为表征界面耗尽层 MEMS 器件制造领域的核心键合技术之一，广泛应 各元素浓度分布的理想测试方法. [2-3] [4] [5-9] 用于半导体(如硅 ，锗 )、金属 与玻璃等材料 在复杂的MEMS 系统中，为提高微器件的性 之间的连接. 能，需实现多层材料之间的键合. 孟庆森等人[13] 随着MEMS 器件综合程度的提高以及结构尺 通过公共阳极键合法实现了glass-Al-glass 的连接， 度的进一度缩小，为更好的应用阳极键合技术，需 但该方法无法实现Al-glass-Al 的连接. 试验中利用 要进一步研究阳极键合界面微观结构. 近年来， 两步法阳极键合技术制备 Al-glass-Al，利用 GD- [10] Tang 等人 利用HRTEM 和EDS 研究 glass-Si 界 OES 表征界面元素浓度分布，结合 SEM 以及界面 面，发现界面产物为几纳米厚的SiO . Xing 等人[11] 2 强度测试，研究此工艺下Al-glass-Al 界面结构和界 利用TEM 对Al-glass 界面进行分析，发现在界面 面强度. 处形成α-Al O 和γ-Al O 两种不同晶形的Al O ， 2 3 2 3 2 3 其中γ-Al O 向玻璃耗尽层中延伸，并显著增强了 2 3 1 试验方法 界面强度