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半导体物理作业（七） 学号： 姓名： 1/4 页 第七章金属和半导体的接触 1. 基本概念 1）什么是金属的功函数？ ( ) 答：金属费米能级的电子逸出到真空中所需要的能量，即W E0 − E 。其中 m F m E ：真空中电子的静止能量，(E ) ：金属的费米能。随着原子序数的递增，金 0 F m 属的功函数呈周期性变化。 2 ）什么是半导体的电子亲和能？ 答：半导体导带底的电子逸出到真空中所需要的能量，即χ E −E 。其中E ： 0 C 0 真空中电子的静止能量，EC ：半导体导带底的能量。 3 ）以金属-n 型半导体接触为例，如果金属的功函数大于半导体的功函数，即 W W ，则半导体表面的空间电荷、电场和表面势垒具有什么特点？如果 m s W W ，又如何呢？ m s 答：金属-n 型半导体接触，如果 W W ，电子从半导体流向金属。半导体表面 m s 形成正的空间电荷区，电场方向由体内指向表面，形成表面势垒。在势垒区，空 间电荷主要由电离施主形成，电子浓度比体内低很多，为高阻区域，称为阻挡层。 如果 W W ，电子从金属流向半导体，势垒区电子浓度比体内大很多，为高电 m s 导区，称为反阻挡层。 4 ）什么是表面态对势垒的钉扎？ 答：表面态密度存在时，即使不与金属接触，表面也会形成势垒。高的表面态密 度，可以屏蔽金属接触的影响，使半导体势垒高度几乎与金属的功函数无关，即 势垒高度被高的表面态密度钉扎（pinned ） 5 ）为什么金属-n 型半导体接触器件具有整流作用？ 答：外加电压 V，如果使金属的电势升高，由于n 型半导体高阻挡层为高阻区， 外压V 将主要降落在阻挡层，则势垒下降，电阻下降。 反之，如果金属的电势下降，则势垒增高，势垒区电子减少（多子），电阻更高。 因此阻挡层具有类似于pn 结的整流作用。 6 ）以金属-n 型半导体接触为例，写出势垒宽度大于电子的平均自由程时，其扩 散电流密度与电压的关系。与pn 结的电流密度- 电压关系比较，各自具有什么相 同和不同的特点？ 答：金属-n 型半导体接触，扩散电流为 ⎛ qV ⎞ ⎧2qN (V −V )⎫1/ 2 −qVD J J sD ⎜⎜e kT −1 ⎟⎟，J sD σ⎨ D D ⎬ e k 0 T ε ε ⎝ ⎠ ⎩ r 0 ⎭ 与pn 结的电流密度- 电压关系比较，二者均具有单向性的特征；所不同的是，金 属-n 型半导体接触的反向电流随外加电压增加呈 1/2 次方增加，而pn 结的反向 电流不随电压变化。 半导体物理作业（七） 学号： 姓名： 2/4 页 7 ）金属-n 型半导体接触的热电子发射电流与其扩散电流比较有什么相同和不同 之处？ 答：金属-n 型半导体接触，热发射电流为 ⎛ qV ⎞ −qφns ⎜ kT −1 ⎟ 2 k 0 T J J e ，J A *T e sT ⎜ ⎟ sD ⎝ ⎠ 与扩散电流的单向性一致，但是JsT 只与温度有关，与外加电压无关。 1. 根据下列金属的功函数（单位:电子伏特，eV ），求Al-Cu 、Au-Cu 、W-Al 、