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非晶铟镓锌氧薄膜晶体管银钛源漏电极的研究-液晶与显示.PDF
第 卷 第 期 液晶与显示
３１ ４
Vol．３１ No．４
ChineseJournalofLiuidCrstalsandDislas
年 月 q y p y
２０１６ ４ A r．２０１６
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文章编号: ( )
１００７Ｇ２７８０２０１６０４Ｇ０３７５Ｇ０５
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非晶铟镓锌氧薄膜晶体管银 钛源漏电极的研究
∗
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吴 崎 许 玲 董承远
( , )
上海交通大学 电子工程系TFTＧLCD关键材料及技术国家工程实验室 上海 ２００２４０
: , ( ) ( )
摘要 为了适应大尺寸高分辨率显示的技术需求 研究并开发用于非晶铟镓锌氧 aＧIGZO 薄膜晶体管 TFT 阵列的低电
. , .
阻电极非常关键 本文采用磁控溅射制备的金属银为源漏电极 设计并制作了底栅结构的 aＧIGZOTFT器件 实验发
, , . ,
现 具有单层银源漏电极的器件电学特性较差 这是因为银与 aＧIGZO之间不能形成良好的欧姆接触 另一方面 通过增
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加钛中间层而形成的A Ti电极在保持低电阻的同时能够有效阻止银原子扩散并与 aＧIGZO形成较好的接触状态 最
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/ , ２/ ,
终制备的以A Ti为源漏电极的aＧIGZOTFT具有明显改善的电学特性 场效应迁移率为 １．７３cm V s亚阈值摆幅
g
/(), ７, .
２．８V ° 开关比为 ２×１０ 由此证明了磁控溅射制备的银电极具有应用于非晶氧化物薄膜晶体管的实际潜力
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关 键 词 非晶铟镓锌氧 薄膜晶体管 银电极 磁控溅射 平板显示
中图分类号: ． 文献标识码: : /
TN３２１＋ ５ A doi１０．３７８８YJYX０３７５
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A Tisourcedrainelectrodesforamorhous
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