异质结电池简介.pdfVIP

异质结电池简介 HIT 是Heterojunction with Intrinsic Thin－layer 的缩写，意为本征薄膜异质结， 因HIT 已被日本三洋公司申请为注册商标，所以又被称为 HJT 或SHJ （Silicon Heterojunction solar cell）。1992 年三洋公司的Makoto Tanaka 和 Mikio Taguchi 第一次成功制备了HIT（HeterojunctionwithIntrinsic ThinLayer）电池。日本Panasonic 公司于2009 年收购三洋公司后，继续HIT 电池的开发。 HIT 电池结构，中间衬底为N 型晶体硅，通过PECVD 方法在P 型a-Si 和c-Si 之间插入一层10nm 厚的i-a-Si 本征非晶硅，在形成pn 结的同时。电池背面为 20nm 厚的本征a-Si：H 和N 型a-Si：H 层，在钝化表面的同时可以形成背表面场。 由于非晶硅的导电性较差，因此在电池两侧利用磁控溅射技术溅射TCO 膜进行 横向导电，最后采用丝网印刷技术形成双面电极，使得HIT 电池有着对称双面电 池结构。 开路电压大的原因：除了掺杂浓度差形成的内建电池外；材料的禁带宽度的 差别也会进一步增加电池的内建电