BiSb2xSe3薄膜的SILAR法制及表征.docxVIP

优秀毕业论文 精品参考文献资料 摘 要B 摘 要 B ixsb Z一xse。薄 膜 的 S 工LA R 法 制 备 及 表 征 学 科 : 材 料 物 理与化 学 研 究 方 向: 新 型 半 导体 薄膜材料 硕 士 生 : 价冬金 导 师 : 粉 即 、教授) 答 辩 日期 : 汉刃 了，子.对 摘 要 Bi ZS e3和 S bZS e3 以其材 料 本 身所 具有 的特 点 ，分别在 光 电子 器 件 、热 电冷凝 装 置 和 光 信 息 存 储 等 方 面 己显 示 出其 优 越 性 。本 文 采 用 S IL A R 法 行 之 有 效 的将 Bi Zs e3 和 s bZs e3 各 自的材 料 特 点 有 机 地 结 合起 来 ，制 备 方 法 制 备 出 B ix s bZ-x s e3 三 元 固溶 体 半 导体 材 料 。 通 过 多次试 验 探 索 出一种 独创 的膜 厚试 验 简 易装 置 ，利用 该 装 置在 不 同工 艺条 件 和 参 数 下制 备 出大 量 B ixs bZ_xs e3 薄膜样 品 ，并采 用 电子探 针 、x R D 、X P S 、S E M 、A F M 、紫 外可 见分 光 光度 计 等 测试 手 段 对所 得样 品 的表 面 形貌 、晶体 结 构 、薄膜 组 成 以及禁 带 宽度 等进 行 了表 征 分 析