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常用微波元器件微组装工艺2、滤波器与其它无源器件-10 SIW无源前端 常用微波元器件微组装工艺2、滤波器与其它无源器件-11 SIW无源元件 – 双工器 结论: 基于圆形腔与椭圆形腔SIW的互补特性，可设计具有高选择性与低插入损耗的双工器。 常用微波元器件微组装工艺2、滤波器与其它无源器件-12 SIW– 180度耦合器 常用微波元器件微组装工艺3、功率放大器与其它有源器件-1 功率放大器：要求接地和导热好， 通过胶接或焊接与基板互连，接地基板通过金属化孔（柱）与散热底面连接。也可以顶层加散热凸头与芯片通过导热胶粘接。 常用微波元器件微组装工艺3、功率放大器与其它有源器件-2 LNA：避免损耗（接头损耗小、离接头近、互连损耗小、匹配电路损耗小、头级最佳噪声匹配设计、后级可最佳增益匹配） 常用微波元器件微组装工艺3、功率放大器与其它有源器件-3 SIW在有源电路中的应用 上变频器 下变频器 下变频器 功率放大器 整流天线 11GHz ODU系统 26GHz ODU系统 常用微波元器件微组装工艺4、天线与封装共形天线-1 天线的要求：1）辐射方向有敞开空间；2）足够的尺寸，一般不小于半个波长 种类：1）芯片和封装天线；2）法向和侧向；3）外层和夹层 常用微波元器件微组装工艺4、天线与封装共形天线-2 W-波段 SIW单脉冲天线 H-Plane pattern fed by Port 1 E-Plane pattern fed Port 1 H-Plane pattern fed by Port 2 E-Plane pattern fed Port 3 常用微波元器件微组装工艺4、天线与封装共形天线-3 Ka-波段 SIW单脉冲天线 天线上表面 测试环境 Ｈ-面 Ｅ-面 对角面 常用微波元器件微组装工艺4、天线与封装共形天线-4 SIW低副瓣天线阵列 10GHz，H-Plane，SLL:-30dB 10GHz，E-Plane，SLL: -30dB Size：246×233mm ；f: 10GHz, Gain:24.5dB；Efficieny: 75.9%，Bandwidth: 2.5% 常用微波元器件微组装工艺4、天线与封装共形天线-5 高增益SIW圆极化天线阵列：增益: 30dB，轴比: 0.7dB, 副瓣: -20dB 常用微波元器件微组装工艺4、天线与封装共形天线-6 Ka相位校准SIW喇叭天线 常用微波元器件微组装工艺4、天线与封装共形天线-7 薄基板相位校准SIW喇叭天线 基板厚度0.017λ0 常用微波元器件微组装工艺4、天线与封装共形天线-8 共形天线 微组装的有害微波现象与工艺1、通道串扰危害与抑制-1 通道串扰的危害：1）自激；2）多通道系统中相位和幅度测量误差；3）相控阵系统的扫描精度 双通道相控系统中，可能产生的最大相位误差与通道间隔离度的关系 微组装的有害微波现象与工艺1、通道串扰危害与抑制-2 基片集成同轴线（SICL：substrate integrated coaxial line） 无色散、宽带、隔离高、适合低频段 微组装的有害微波现象与工艺1、通道串扰危害与抑制-3 微组装的有害微波现象与工艺2、谐振的危害与抑制-1 谐振的危害：1）自激；2）不可预计的滤波；3）能量的耦合；4）能量的衰减 谐振的抑制：1）预估谐振频率；2）抑制工作频段内的谐振（插入隔离结构，提高谐振频率） 参考文献 1 杨邦朝，张经国主编. 多芯片组件（MCM）技术及其应用. 第1版. 成都：电子科技大学出版社，2001. 2 况延香，朱颂春编著. 微电子封装技术. 第1版. 合肥：中国科学技术大学出版社，2003. 3 中国电子学会电子封装专业委员会组织译校（Rao R. Tummala，Eugene J. Rymaszewski，Alan G. Klopfenstein等著）. 微电子封装手册（第二版）[Microelectronics Packaging Handbook (Second Edition)]. 第1版. 北京：电子工业出版社，2001. 4 朱瑞廉译（James J.Licari，Leonard R.Enlow著）. 混合微电路技术手册—材料、工艺、设计、试验和生产（第2版）[Hybrid Microcircuit Technology Handbook – Materials，Processes，Design，Testing and Production (2nd Edition)]. 第1版. 北京：电子工业出版社，2004. 5 何中伟. 低温共烧陶瓷（LTCC）型MCM. 集成电路通讯. 2001（3）：1～