微电子元器件第六章 场效史应晶体管.pptVIP

第六章场效应晶体管 场效应：半导体的电导被垂直于半导体表面的电场调制的效应叫做场效应 单极型晶体管：只有一种载流子参与导电过程的半导体器件。 场效应晶体管可分为： 1、结型场效应晶体管（ JFET）； 2、金属一半导体场效应晶体管(MESFET) ； 3、金属-绝缘体-半导体场效应晶体管(MISFET)。 6.1场效应晶体管的工作原理 场效应管（英缩写FET）是电压控制器件，它利用输入电压来控制输出电流的变化。具有输入阻抗高噪声低，动态范围大，温度系数低等优点，因而广泛应用于各种电子线路中。 6.1.1晶体管的负载线 由实验测得电压和电流的对应关系，可得器件的I-V特性曲线。该电路的电压回路方程可写为： 器件的工作状态受到了VG的控制。比如，在该例中，VG=0.5V时，器件两端的直流电压和通过负载的直流电流分别是VD=5V和ID=10mA。不管VG是多大，通过负载的电流和器件两端的电压总是在负载线上变化。 6.1.2 放大和开关作用 电压控制的放大作用： VG上叠加一交流分量，如VG围绕直流分量变化0.25V, VD变化2 V, 交流电压放大倍数为2/0.25=8 ; 开关作用： VG适当变化，电流在iD=0点和iD=E/R之间切换，类似于一个开关。 6.2 结型场效应晶体管（ JFET ） 6.2.1夹断和饱和-工作原理 6.