电子制造工程骨干教师培训班集成电路设计下.pptVIP

* 利用成膜、光刻、腐蚀技术，在硅片表面生长厚厚的二氧化硅，用于隔离不同类型的半导体。 * 利用成膜、光刻、腐蚀技术，在硅片表面生长厚厚的二氧化硅，用于隔离不同类型的半导体。 * 光刻、腐蚀形成MOS器件的栅极和栅极电介质层。同时，这层多晶硅也是第一层导电连线。 * 光刻、腐蚀形成MOS器件的栅极和栅极电介质层。同时，这层多晶硅也是第一层导电连线。 * 通过光刻和离子注入，对硅片进行掺杂。其中，N掺杂的区域形成电子导电的N型半导体，P掺杂的区域形成电子导电的P型半导体，它们形成了MOS管的源极、漏极和基极。 * 通过光刻和离子注入，对硅片进行掺杂。其中，N掺杂的区域形成电子导电的N型半导体，P掺杂的区域形成电子导电的P型半导体，它们形成了MOS管的源极、漏极和基极。 * 通过光刻和离子注入，对硅片进行掺杂。其中，N掺杂的区域形成电子导电的N型半导体，P掺杂的区域形成电子导电的P型半导体，它们形成了MOS管的源极、漏极和基极。 * 通过光刻和离子注入，对硅片进行掺杂。其中，N掺杂的区域形成电子导电的N型半导体，P掺杂的区域形成电子导电的P型半导体，它们形成了MOS管的源极、漏极和基极。 * 淀积氧化硅绝缘层后，通过光刻和腐蚀的方法在氧化硅上打开通向晶体管的各个电极的通孔。 * 淀积氧化硅绝缘层后，通过光刻和腐蚀的方法在氧化硅上打开通向晶体管的各个电极的通孔。 * 第一层金属经过成膜、光刻、腐蚀工艺后，按照电路设计图将晶体管的各电极连接起来。 * 第一层金属经过成膜、光刻、腐蚀工艺后，按照电路设计图将晶体管的各电极连接起来。 * 根据电路的复杂性，通常需要多层金属连线才能完成电路的连接。每层金属之间均采用二氧化硅作为绝缘隔离层。 * 根据电路的复杂性，通常需要多层金属连线才能完成电路的连接。每层金属之间均采用二氧化硅作为绝缘隔离层。 * 根据电路的复杂性，通常需要多层金属连线才能完成电路的连接。每层金属之间均采用二氧化硅作为绝缘隔离层。 * 根据电路的复杂性，通常需要多层金属连线才能完成电路的连接。每层金属之间均采用二氧化硅作为绝缘隔离层。 * 根据电路的复杂性，通常需要多层金属连线才能完成电路的连接。每层金属之间均采用二氧化硅作为绝缘隔离层。 * 根据电路的复杂性，通常需要多层金属连线才能完成电路的连接。每层金属之间均采用二氧化硅作为绝缘隔离层。 * * * * Contacts and wells not shown. What does this implement?? * Line of diffusion layout – abutting source-drain connections Note crossover eliminated by A B C ordering * N阱 P衬底 Mask 8 via1 * N阱 P衬底 Mask 9 met2 * N阱 P衬底 Mask 9 met2 * Mask 10 pad 钝化层 开焊盘孔 * Mask 10 pad 钝化层 * 版图设计 电子设计 + 绘图艺术 仔细设计，确保质量 * MOS管的版图设计 沟道长 沟道宽 当多晶硅穿过有源区时，就形成了一个管子。在图中当多晶硅穿过N型有源区时，形成NMOS，当多晶硅穿过P型有源区时，形成PMOS。 * MOS管的版图设计 N型有源区： P型有源区： 薄氧区(oxide,TO,active) + N扩散区(Nimp，Ndiff) 薄氧区 + P扩散区(Pimp，Pdiff) + N阱(Nwell) 当多晶硅穿过有源区时，就形成了一个管子。在图中当多晶硅穿过N型有源区时，形成NMOS，当多晶硅穿过P型有源区时，形成PMOS。 * 大尺寸MOS管的版图设计 大尺寸MOS管用于提供大电流或大功率的输出，在集成电路的设计中使用非常广泛。 它们的版图一般采用并联晶体管结构。 3um 0.6um 管子沟道长： 沟道宽： 0.6um 9um 管子沟道长： 沟道宽： 0.6um 12um * 一个宽沟道的MOS 两个短沟道的MOS 折叠 简单的充分接触的MOS 寄生电容减小1/2 寄生电阻RG减小到1/4 * 漏区电容最小的“O”型晶体管 * 灵活的版面设计 * 看版图画原理图： N Well In Out V DD GND In Out vdd gnd 倒相器 * 大宽长比的非门 * Out A Out V DD GND B A vdd gnd Out B vdd PMOS并联 NMOS串联 Out = A ? B 共用有源区 * VDD GND A gnd B vdd gnd Out Out = A ? B