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防静电技术要求 主题内容及适用范围 本标准规定了电子设备研制生产全过程中，对静电放电危害的防护技术基本要求，静电敏感器件的采购、检测、储存、运输、装配过程中的防静电操作要求，对防静电工作区的管理以及人员教育培训等内容。 本标准适用于研制、生产、维修电子设备的部门及采购、储运、检测电子元器件，也适用于其它任何涉及静电敏感元器件的部门。 术语 1.1静电：物体表面过剩或不足的静止电荷。 1.2静电放电：静电电场的能量达到一定程度后，击穿其间介质而进行放电的现象。英文缩写ESD。 1.3静电敏感度：元器件所能承受的静电放电电压值。静电放电敏感（的）英文缩写ESDS。 1.4静电敏感器件：（承受静电放电电压较低的器件）对静电放电敏感的器件。 1.5泄放：将静电荷安全传导到地。 1.6中和：利用导性电荷（异性离子）使静电消失。 1.7静电导体：表面电阻率在105~108Ω范围内的物体。 1.8接地：电气连接到能提供或接受大量电荷物体上。（如大地、舰船或运载工具金属外壳。）接地连接点英文缩写：EBP。 1.9防静电工作区：用各种防静电设施、器件及明确区域的界限形成的工作场地。（用必要的防静电防护材料和设备建立和装备起来有明显标志的区域能防护静电损害。）英文缩写：EPA。 1.10静电放电保护材料具备以下特征： 1.10.1 1.10.2 1.10.3 1.11静电放电损伤：由静电放电造成的电子元器件性能退化或功能失效。 1.12静电耗散材料：其表面电阻率等于或大于1*105～1012Ω或体积电阻104～1011Ω的材料。 静电放电造成电子元器件失效及对静电放电敏感性分类 2.1 静电放电造成电子元器件失效： 静电放电对电子元器件的损伤可造成功能失效和损伤。 失效的主要机理有：a 热二次击穿 b 金属镀层融熔 c 介质击穿 d 气弧放电 e 表面击穿 f 体击穿 2.2电子元器件易遭受静电放电损伤的敏感结构见附录A（参考件） 附 录 A 对ESD敏感的元器件组成部分 元器件组成部分 元 器 件 类 别 失 效 机 理 失 效 标 志 MOS结构 MOSFET（分力的） MOS集成电路 有金属跨接的半导体器件 数字集成电路（双极和MOS） 线性集成电路（双极和MOS） MOS阻容器 混合电路 线性集成电路 电压引起的介质击穿和接着发生的大电流现象 短路（漏电大） 半导体 二极管（PN、PIN、肖特基） 双极晶体管 结型场效应晶体管 可控硅 数字、线性双极集成电路、输入保护 电路：用于分力MOS场效应管和MOS集成电路 由过剩能量和过热引起的微等离子体二次击穿的微扩散 由SI和AL的扩散引起电流束的增大（电热迁移） 薄膜电阻器 混合集成电路： 厚膜电阻 薄膜电阻 单片集成电路： 薄膜电阻器 密封薄膜电阻器 介质击穿、与电压有关的电流通路，与焦耳能量有关的微电流通路的破坏 电阻漂移 金属化条 混合集成电路 单片集成电路 梳状覆盖式晶体管 与焦耳热能量有关的金属烧毁 开路 场效应结构和非导电性盖板 采用非导电石英或陶瓷封盖板的集成电路和存储器，特别是EPROM 由于ESD使正离子在表面积垒。引起表面反型或栅阀值电压漂移 工作性能退化 压电晶体 晶体振荡器 声表面波器件 当所加电压过大时由于机械力使晶体破裂 工作性能退化 电极间的间距较小部位 声表面波器件 无钝化层覆盖的薄膜金属无保护的半导体器件和微电路 电弧放电使电极材料熔融 工作性能退化 2.3静电放电敏感器件的分类： 按敏感度电压被分级为：1级：损坏敏感的放电电压从0V～1999V。 2级：损坏敏感的放电电压从2000V～3999V。 见附录B（参考件） 附 录 B 静电放电敏感电子元器件分类（参考件） I级静电敏感度的元器件（1~1999V） 序号 元 器 件 类 别 条 件 及 说 明 1 微波器件 包括肖特基二极管、点接触二极管、工作频率大于1GHZ的检测二极管 2 分力MOS场效应晶体管 包括VMOS及VDMOS管等 3 表面声波（SAW）器件 4 结型场效应晶体管 5 电荷藕合器件 6 精密稳压二极管 7 运算放大器 包括双极型工艺及MOS工艺 8 超高速集成电路 包括ECL、HCMOS、FAST等工艺 9 其他集成电路 包括CMOS、PMOS、NMOS、TTL等 10 薄膜电阻器 11 混合电路 使用I级静电敏感元器件组装的混合电路 12 可控硅 TA=