模拟电路第2章半导左体二极管及其基本电路.ppt

第二章、半导体二极管及其基本电路 结论 ◆掺杂会大大提高半导体中载流子浓度，使导电性能大增。 ◆掺入五价杂质产生N型半导体（电子型半导体）。 多子—电子、少子—空穴。 ◆掺入三价杂质产生P型半导体（空穴型半导体）。 多子—空穴、少子—电子。 ◆多子浓度近似等于杂质浓度， 少子浓度与温度密切相关。 ②P区、N区为低阻区，结区为高阻区，所以外加电压主要加在结区，抵消内电场的作用。 ∴ 结内电位差减小，势垒减小。 ③多子的扩散电流趋于0， 由少子的漂移电流产生反向电流。 少子浓度很小，所以反向电流很小。 PN结反向截止，反向截止电阻很大。 (3) PN 结的V-I特性 3、PN 结的反向击穿 反向电压增加到一定数值时， 反向电流剧增， 这种现象称为反向击穿。（电击穿) 击穿时的反向电压称为反向击穿电压VBR 1、正向特性： 存在门坎电压Vth （死区电压） 硅0.5V 锗0.1V 正向导通时压降很小，硅 0.6～0.8V（估算值0.7V) 锗0.2～0.3V（估算值0.2V) 1. 最大整流电流IF 管子长期运行允许通过的最大正向平均电流。 2. 反向击穿电压VBR 反向电流急剧增加时所加的反向电压。 （参数表中一般规定反向电流所达到的值） 最高反向工作电压一般取击穿电压的一半。 3. 反向电流IR 管子未发生电击穿时的反向电流。 （参数表中一般规定所应加的反向电压） 4、PN结的电容 在电路理论中定义：一个二端器件，可存储电荷，且存储的电荷与两端电压相关，则该器件为电容。 PN结具有电容效应，主要表现在两方面： ⑴ 势垒电容CB 描述PN结内空间电荷随外加电压变化产生的电容效应。 势垒电容的特点: ▲存储的电荷是正负离子，不是载流子，“充、放”电是由载流子与离子的中和或取出产生的。 ▲非线性电容，电容值随外加电压而变化 。 PN结正偏时： P区空穴到达N区成为非平衡少子，一面扩散，一面与电子复合，浓度逐渐下降，在结的边缘处有空穴的积累； 同样，N区的电子到达P区，在结的边缘处也有积累。 正向电压越大，正向电流加大，积累的非平衡少子越多，扩散电容加大。 2.4 二极管基本电路及其分析方法 二极管是一种非线性器件，分析含二极管的电路一般采用图解法和模型分析法。 2.4.1 二极管正向 v—i的建模 1、理想模型 2、恒压降模型 3、折线模型 4、小信号模型 当输入变化的信号时，且信号幅度很小，二极管工作在静态工作点Q附近的小范围内, 则可以在小范围内把V-I特性曲线看成是过Q点的切线。其斜率的倒数称微变电阻rd （动态电阻） rd的计算 2、限幅电路 2) 设vi=6sinωt,画出vo的波形及传输特性 3 、开关电路二极管在开关电路中一般采用理想模型。关键是判别二极管是导通，还是截止 例1：试判断下图中二极管是导通还是截止，并求出输出端的电压Vo（设二极管是理想的） 例2： 例2.4.3 4、 低电压稳压 利用二极管的正向特性可以构成低电压的稳压电路 解：求静态工作点 由于VDD=10V0.7V， 所以二极管采用恒压降模型。 2、稳压管参数 稳定电压VZ 反向电击穿时的工作电压。 稳定电流IZ 测量稳定电压，动态电阻时的参考电流值。 iZIZ，稳压性能较差，rZ增大。 iZIZ，稳压性能较好，rZ减小。 额定功耗PM 允许的最大功耗，一般 IZM=PM/VZ 动态电阻rZ 反向击穿区斜率的倒数 rZ=dVZ/diZ|iZ=IZ 温度系数 温度变化1℃，稳定电压变化的百分数。 教材上取R=51 ?，只检验了稳压管的耗散功率， 没有检验其电流范围。 Vth:门坎电压 (硅管一般取0.5v), iD vD 二极管的正向压降随流过二极管正向电流的增加而线性增加。一般用于电源电压较小，工作电流较小的场合。 rD Vth iD v D 根据二极管的电流ID和管压降VD可以求出rD ID VD iD vD Vth iD vD 小信号模型只用于动态分析， 方程中求解的变量是信号量。 （电压和电流瞬时值的变化量） rd D rd与静态工作电流有关。 2-4-2 二极管模型分析法 1、静态分析 ①图解法 VDD VD ID R ID=f（VD） VD=VDD-IDR VQ IQ R VDD VD ID ② 模型分析法 理想模型 VDD0: