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集成电路设计基础 SUT 电子科学与技术系 任建 集成电路定义 　集成电路（integrated circuit，港台称之为积体电路）是一种微型电子器件或部件。采用一定的工艺，把一个电路中所需的晶体管、二极管、电阻、电容和电感等元件及布线互连一起，制作在一小块或几小块半导体晶片或介质基片上，然后封装在一个管壳内，成为具有所需电路功能的微型结构； 常用名词 CMOS-Complementary Metal Oxide Semiconductor BJT-Bipolar Junction Transistor IC-Integrated Circuit 集成电路分类 导电类型：Bipolar，Mos，Bi-Coms 功能：数字IC、模拟IC、数模混合IC 典型的双极型数字集成电路 晶体管-晶体管逻辑电路(TTL) 发射极耦合逻辑电路(ECL) 集成注入逻辑电路(I2L) ★集成电路中常用器件：MOSFET、BJT 电容、电阻 集成电路历史 1947年：贝尔实验室肖克莱等人发明了晶体管，这是微电子技术发展中第一个里程碑； 1950年：结型晶体管诞生； 1950年：肖特莱发明了离子注入工艺； 1951年：场效应晶体管发明； 1956年：C S Fuller发明了扩散工艺； 1958年：仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路，开创了世界微电子学的历史； 集成电路规模 SSI (Small Scale Integration) 102 MSI (Middle Scale ~) 102-103 LSI (Large Scale ~) 103-104 VLSI (Very Large Scale ~) 105-107 ULSI (Ultra Large Scale ~) 108 晶圆（Wafer)直径 1.5吋(40mm) 2吋 (50mm) 3吋 (75mm) 4吋(100mm) 6吋(150mm) 8吋(200mm) 12吋(300mm) 16吋(400mm) 特征线宽 微米 Micrometer: 1.0um  (1.0um 1.2um 1.5um 2um 3um 4um 5um…) 亚微米(SM -- Sub-Micrometer): 0.8um 0.6um 深亚微米(DSM-- Deep Sub-Micrometer): 0.5um 0.35um 0.25un 超深亚微(VDSM--Very Deep Sub-Micrometer)  0.25um 0.18um 0.13um 纳米：0.09um (90nm) 0.07um (70nm) 第1章 集成电路的基本设计工艺 1.1双极集成电路的基本制造工艺 1.1.1典型的双极集成电路工艺 双极集成电路的基本制造工艺分两类 在元器件间做电隔离区 隔离的方法有： PN结隔离、全介质隔离、PN结-介质混合隔离 代表电路有线性/ECL、STTL、TTL/DTL 元器件间自然隔离：I2L 典型PN结隔离掺金TTL电路工艺流程 每次光刻后，氧化、扩散前都要进行化学清洗 只有主要工序，没有化学清洗及裂片、压焊、封装等后道工序 总工序40道 典型的PN结隔离的掺金TTL电路中的NPN晶体管 集成电路为平面工艺，由光刻版的表面图形确定。 扩散深度由工艺决定（杂质浓度） 1.1.2 双极集成电路中元件形成过程和元件结构 典型PN结隔离掺金TTL电路工艺流程 衬底选择：P，ρ=10 Ωμ·cm，（111）晶向偏离2°-5° 第一次光刻—N+隐埋层扩散孔光刻 埋层：外延层和衬底之间的N+ 埋层作用：减小晶体管串联电阻、减小寄生PNP影响 埋层材料：最理想是砷 3.外延层淀积 主要设计参数：外延层电阻率ρepi 和外延层厚度T 模拟电路工作电压越高选取ρepi 越高0.5-5Ω cm，T越大7-17um 4.第二次光刻——P+隔离扩散孔光刻 隔离扩散的目的：在硅衬底上形成许多孤立的外延层岛，以实现各元件间的电绝缘 隔离的方法：反偏PN结隔离、介质隔离、PN结-介质混合隔离 常用标准隐埋集电极（SBC）优点：工艺简单兼容：缺点：隔离扩散温度高、时间长、外推较大 P衬底接最低电位 6.第四次光刻-N+发射区扩散孔 NPN