手机触摸技术苹果三星触摸技术ICELLONCELLOGS原理分析.ppt

* * * * * 240:触控层 230:CF 210:TFT 华映 In cell touch TW 201115440 触控Sensor在BM，CF之下 Sensor之下用金属线来降低ITO的电阻 与 AUO的专利类似，差别在Sensor ITO 于BM层之上或下 菱形区为ITO电极金属线与 DL,GL,CL 同位置 18:BM 20:CF 14:基板221,222:ITO Sensor 28:金属线GL:Gate line CL:Com line Samsung In cell touch TW 201209477 触控Sensor 以单层结构做成On cell 72:ITO Sensor 70:Vcom61:上基板 63:BM 66:CF190:cover lens 192:OCA 82:偏光板 72:ITO Sensor 70:Vcom V com為 Tx ITO Sensor為Rx Samsung In cell touch TW 201222644 与sony类似的 On cell 与 In cell混合设计 此设计的原创为Apple 80a:ITO Sensor 70:Vcom61:上基板 63:BM 66:CF 80a:ITO Sensor 70a:Vcom * * LGD Touch method TW 201227482 驱动触