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硅管 VBEQ = (0.6 ~ 0.8) V 锗管 VBEQ = (0.1 ~ 0.2) V 电容电流i=C（du/dt）； 电感电压：u=L（di/dt）。 EMI是Electro Magnetic Interference的缩写，即电磁干扰；而EMC是Electro Magnetic Compatibility 的缩写，指电磁兼容性。 正逻辑：用高电平表示逻辑1，用低电平表示逻辑0； 负逻辑：用低电平表示逻辑1，用高电平表示逻辑0 TTL/CMOS/差分电平： （1）TTL电平?：输出高电平2.4V,输出低电平0.4V,在室温下,一般输出高电平是3.5V,输出低电平是0.2V.最小输入高电平和低电平:输入高电平=2.0V,输入低电平=0.8V,噪声容限是0.4V.?（2）CMOS电平： 逻辑1电平电压接近于电源电压，逻辑0电平接近于0V,而且具有很宽的噪声容限。 （3）差分电平： 差分传输是一种信号传输的技术，区别于传统的一根信号线一根地线的做法，差分传输在这两根线上都传输信号，这两个信号的振幅相等，相位相反。在这两根线上的传输的信号就是差分信号。信号接收端比较这两个电压的差值来判断发送端发送的是逻辑0还是逻辑1。 （4）OC门?和OD门：OC门即集电极开路门电路,OD门即漏极开路门电路,必须外接上拉电阻和电源才能将开关电平作为高低电平用,否则它一般只作为开关大电压和大电流负载,所以又叫做驱动门电路.?（5）TTL和COMS电路比较：1)TTL电路是电流控制器件,而COMS电路是电压控制器件.?2)TTL电路的速度快,传输延迟时间短(5-10ns),但是功耗大.??? COMS电路的速度慢,传输延迟时间长(25-50ns),但功耗低.??? COMS电路本身的功耗与输入信号的脉冲频率有关,频率越高,芯片集越热,这是正常现象.?3)COMS电路的锁定效应：COMS电路由于输入太大的电流,内部的电流急剧增大,除非切断电源,电流一直在增大,这种效应就是锁定效应.当产生锁定效应时,COMS的内部电流能达到40mA以上,很容易烧毁芯片.??? 防御措施:??? 1)在输入端和输出端加钳位电路,使输入和输出不超过规定电压.??? 2)芯片的电源输入端加去耦电路,防止VDD端出现瞬间的高压.??? 3)在VDD和外电源之间加限流电阻,即使有大的电流也不让它进去.??? 4)当系统由几个电源分别供电时,开关要按下列顺序:开启时,先开启COMS电路的电源,再开启输入信号和负载的电源;关闭时,先关闭输入信号和负载的电源,再关闭COMS电路的电源.?（6）COMS电路的使用注意事项：??? 1)COMS电路是电压控制器件,它的输入阻抗很大,对干扰信号的捕捉能力很强.所以,不用的管脚不要悬空,要接上拉电阻或者下拉电阻,给它一个恒定的电平.??? 2)输入端接低内阻的信号源时,要在输入端和信号源之间要串联限流电阻,使输入的电流限制在1mA之内.??? 3)当接长信号传输线时,在COMS电路端接匹配电阻.??? 4)当输入端接大电容时,应该在输入端和电容间接保护电阻.电阻值为R=V0/1mA,V0是外接电容上的电压.??? 5)COMS的输入电流超过1mA,就有可能烧坏COMS. 2、总线（SPI、IIC、232、485、CAN、Ethernet）： （1）SPI(SerialPeripheralInterface：串行外设接口)CPU与外设的接口; SPI是高速、全双工、同步串行口，用三或四个信号用于数据交换： SIMO:从进，主出 SOMI:从出，主进 UCLK:即SCK时钟，由主机驱动，从机用它发送和接收数据 STE：即CS，从机发送允许，用于四线模式中控制多主从系统中的多个从机 三线SPI组成：串行时钟(SCLK)、串行数据输出(SDO)、串行数据输入(SDI)；当有多个从设备时，还可以增加一条从设备选择线CS。四线SPI模式用附加控制线，来允许从机数据的发送和接收，它由主机控制。SPI总线可以实现多个SPI设备互相连接。 提供SPI串行时钟的SPI设备为SPI主机或主设备(Master)，其他设备为SPI从机或从设备(Slave)。主从设备间可以实现全双工通信，SPI接口是在CPU和外围低速器件之间进行同步串行数据传输,在主器件的移位脉冲下,数据按位传输,高位在前,低位在后,为全双工通信。 如果用通用IO口模拟SPI总线，必须要有一个输出口(SDO)，一个输入口(SDI)，另一个口则视实现的设备类型而定，如果要实现主从设备，则需输入输出口，若只实现主设备，则需输出口即可，若只实现从设备，则只需输入口即可。UART需要固定的波特率，而SPI则无所谓，因为它是有时钟的协议。SPI接口主要应用在EEP