第2讲子汤逊巴申理论.pptVIP

（1）电子崩的形成 （? 过程 ） * UUb后，一个起始电子自电场获得一定动能后，会碰撞电离出一个第二代电子；这两个电子作为新的第一代电子，又将电离出新的第二代电子，这时空间已存在四个自由电子；这样一代一代不断增加的过程——形成电子崩 ? 系数——一个电子沿着电场方向行经单位长度后，平均发生的碰撞电离次数（形成电子崩） 如设每次碰撞电离只产生一个电子和一个正离子， ? 即是一个电子在单位长度行程内新电离出的电子数或正离子数 β系数——一个正离子沿着电场方向行经单位长度后平均发生的碰撞电离次数 （离子崩）——可以忽略 γ系数——碰撞阴极表面的正离子，使阴极金属表面平均释放出的自由电子数 （阴极发射电子） * ?系数 * 设：从阴极发出一个电子，经多次碰撞电离，在经过距离阴极x后，产生n个电子 这n个电子行过dx之后，又会产生dn个新的电子 对于均匀电场，? 不随空间位置而变 新产生的电子数和正离子数为 * （2）?系数 到达阴极的正离子数 从阴极电离出的电子数 * （3）自持放电条件 放电由非自持转入自持的条件为 * 物理意义 引起碰撞电离的必要条件 只有那些自由行程超过xi＝Ui／E的电子，才能与分子发生碰撞电离 若电子的平均自由行程为?，自由行程大于xi的概率为 * 在单位长度内，一个电子的平均碰撞