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离子注入诱导硅材料发光的研究进展/ 韦 冬等 ∀ 11 ∀ * 韦 冬, 王 茺, 杨 宇 ( , 65009 1) 阐述了采用离子注入技术在硅晶体( Si) 中形成缺陷的发光机制, 述了离子注入诱导硅材料发光的研 究进展, 包括稀土离子掺入硅晶体形成稀土杂质中心发光, 族元素 CGe 离子注入 Si/ SiO 形成等离子缺陷中心发 2 光, 以及BSP 等常规离子注入硅晶体的缺陷发光, 其中重点介绍了 Si 离子自注入诱导硅材料发光的研究现状, 最 后展望了硅基材料发光的未来发展 Advance in the Growth of Ge/ Si Quantum Dots WEI Dong, WA NG Chong, YAN G Yu ( In t itute of Opto electro nic Information M aterial , Y unnan U niver it y, Kunm ing 650091) Abstract T he lumine cence mechani m fro m defect in ionimplanted ilicon ( Si) i ex plained. T he progre of + + lumine cence from io nimplanted ilico n i rev iewed, uch a rar eearth ion doped ilicon, gr oup C Ge im planted + + + Si/ SiO , a w ell a B S P and o on implanted ilicon. In additio n, elfio n im planted ilico n i highlighted. Fi 2 nally , the dev elopment of lightemitting ilico n i pro pected. Key words ilicon, ionimplanted, lumine cence, annealing ( 1) : 0 r - 1 = ( 1+ ) ( 1) Si nr [ 10] , , Si , Si r nr r , GaA ! , , r ; Si 20 5~ 6 , Si [ 1,2] GaA 3~ 5 , Si , Si Ca